【产品】国产光电压输出型光耦合器HPV7A13S，适用于功率MOSFET或IGBT的栅极驱动
华联电子推出的光电压输出型光耦合器HPV7A13S由砷化铝镓红外发光二极管作为输入级耦合到高电压输出光探测电路，光探测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路构成，适用于功率MOSFET或IGBT的栅极驱动。
●特点
单通道光伏MOSFET驱动输出；
输入、输出端之间绝缘电压高VISO≥3750Vrms;
微型单列贴片式4L塑料封装；
符合RoHS指令最新要求及REACH法规最新要求。
●应用
给电子电路提供电压源；
驱动固态继电器。
●电原理图
●极限参数
●光电参数（Ta=25°C）
●外形尺寸及电原理图
●包装方式
编带包装：适用于 HPV7A13S。
（1）每卷数量：3000 只；每箱数量：60000 只。
（2）内包装：每卷盘 3000 只，贴合格证（型号、生产日期代号、检验员代号）。
（3）外包装：公司名称、地址、商标、产品型号、数量等标志。
●注意事项
1、推荐贮存温度 : 0~40°C;
推荐贮存湿度 : <60%;
贮存有效期：半年
湿气敏感度等级 1 级。
2、静电防护等级（人体模式）：≥500V.
3、引脚镀锡厚度：大于等于 3μm。
4、推荐焊接条件
（1）请勿使用超过最高贮存温度的物体直接接触环氧本体。
（2）在高温下不要对环氧本体施加压力，特殊情况下施加的力不应超过2.5N。
（3）回流焊
1) 推荐锡膏规格：a) 熔点 :217°C；b) 组分 : SnAg3Cu0.5
2) 回流焊工序必须在器件冷却至室温后进行。
3) 推荐回流焊接参数，如下图所示：
4) 建议在所示的温度和时间条件下进行一次回流焊，最多不能超过三次
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