【产品】UJ3C和UF3C系列650V SiC FET产品中增加TO220-3L和D2PAK-3L封装选择

2019-11-21 UnitedSiC
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碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC在其UJ3C(通用)以及UF3C(硬开关)系列650V SiC FET中增加了七个新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合。 


这些新设备在快速增长的数据中心服务器,5G基站和电动汽车市场中提供了更高水平的高压电源性能,它们将分别用于电源,电信整流器和车载充电器。这些采用新封装组合的器件将吸引那些喜欢采用3引线TO220或D2PAK封装选项,仍在寻求提高功率因数校正电路,LLC谐振转换器和相移全桥转换器的电源性能的的设计人员。


真正的“嵌入式替换”功能是UnitedSiC UJ3C和UF3C FET产品组合的独特之处。设计人员可以通过用UnitedSiC FET替换现有的Si IGBT,Si FET,SiC MOSFET或Si超结器件,从而显着提高系统性能,而无需更改栅极驱动电压。


这两个系列的SiC FET均基于UnitedSiC独特的“共源共栅”电路配置,其中常开SiC JFET与Si MOSFET共封装,以生产具有标准栅极驱动特性的常关SiC FET器件。结果,现有系统升级为采用UnitedSiC“即插即用” FET进行升级后,可望提高性能,并具有更低的传导和开关损耗,增强的热性能以及集成的栅极ESD保护。对于新设计,UnitedSiC FET提供更高的开关频率,从而在效率和减小尺寸以及无源元件(例如磁性和电容器)的成本方面获得了可观的系统优势。


采用业界领先的三引线TO220-3L封装,可通过UnitedSiC的烧结银封装技术实现增强的热特性。此包装中提供的新产品包括RDS(on)值为30和80mohms的UJ3C器件,以及RDS(on)规格为40mohms的UF3C器件。


工业标准的三引脚D2PAK-3L以表面贴装设计为目标,并通过了IPC和JEDEC的湿气敏感度等级1认证。该封装中提供的新产品包括RDS(on)规格为30和80mohms的UJ3C器件以及 RDS(on)规格为30和40mohms的UF3C器件。


符合AEC-Q101标准的汽车级别的器件也可供选择。

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  • 风中羽翼11 Lv6. 高级专家 2019-11-22
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  • L月 Lv5. 技术专家 2019-11-22
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