【产品】国产漏源电压为100V的N沟道MOSFET器件BH4R2TG，脉冲漏极电流达380A
杜因特推出的BH4R2TG是一款N沟道MOSFET，采用先进的SGT技术和设计，提供卓越的RDS(on)以及低栅极电荷。该MOSFET的漏源电压为100V，栅源电压±20V，在TA=25℃时的连续漏极电流145A，脉冲漏极电流为380A，结到壳热阻为0.44°C/W，适用于各种各样的应用，产品实物图和等效电路图如下。
产品特性：
（1）VDS=100V，ID=145A，RDS(ON)<4.2mΩ@VGS=10V
（2）低栅极电荷
（3）产品绿色环保
（4）采用高单元密度沟槽技术，提供极低的RDS(ON)
（5）优良的封装提供良好的散热
除非另有说明，否则当TC=25℃时，该产品的绝对最大额定参数详情如下图所示：
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