【应用】60V的N沟道MOSFET TSG12N06AT用于智能插座同步整流输出电路，实现低导通损耗

时间： 2020-03-29 来源：世强

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随着无线技术的广泛运用，智能遥控插座也被广泛运用，如用Wifi、Bluetooth等方式与手持装置连结，主要功能为远端开关，语音操控，同时高端的智能插座不但节电,还能保护电器。传统的插座一般是家用电器220VAC插座，但目前随着手机、平板电脑等充电需求的普及，智能插座还可以提供给手机等移动电子设备提供多个USB端口，充当手机充电头的功能。

如图1为智能插座上使用反激式电源电路原理图，其输出侧使用同步整流MOS，与传统的二极管整流电路相比，使用MOS做输出整流可以实现更大的输出电流，以及低损耗，达到给手机等快速充电或提供多个负载供电的目的。

图1

这里推荐使用无锡紫光微的N沟道MOSFET TSG12N06AT，反激式电源输出同步整流电路中的应用优势如下：

1、Vds电压60V，满足一般手机等充电电压输出5V、9V、12V的耐压需求，并留有足够余量。

2、 R_DS(ON) (at VGS=4.5V) < 13.5mΩ，在低的门极驱动电压下，如在5V输出电压下也具有低的导通电阻，实现低导通损耗，满足手机充电电流5V/2.5A~4A的需求。

3、总栅极电荷为Qg=24nC（at VGS=4.5V），具有低的总栅极电荷，在快速开关过程中降低开关功率损耗。

4、 DFN5*6封装，封装体积小，节省PCB布局空间，实现插座的小型化设计。

5、工作结温在-55℃~175℃，具有宽工作结温。

TSG12N06AT外观以及管脚定义：

图2

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TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

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