【产品】采用先进的沟道技术的N沟道MOSFET DB007NG，最大漏源电压VDS为20V，拥有低栅极电荷等特性
国内MOSFET专业生产厂商杜因特，结合自身技术积累和优势，与国内外一流的芯片代工厂、封测厂深度合作，推出一系列物美价廉产品。
DB007NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供出色的漏源导通电阻RDS（on），可以用于各种各样的应用。
特点：
1）最大漏源电压VDS=20V，最大连续漏极电流ID=55A，漏源导通电阻RDS（ON）<6.5mΩ@VGS=4.5V
2）低栅极电荷。
3）符合绿色环保要求。
4）以先进高单元密度沟道技术实现超低RDS（ON）。
5）优秀的封装提供良好的散热。
绝对最大额定值参数：（TC=25℃，除非另有说明）
封装标记和订购信息：
电气特性：（TC=25℃，除非另有说明）
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产品型号
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品类
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VDSS(V)(MIN)
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ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
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Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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DB010NG
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MOSFET
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20V
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30A
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12V
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990pF
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8MΩ
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10MΩ
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选型表 - 杜因特 立即选型
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