【产品】表面贴装（SMD）N沟道功率MOSFETP40LF12SNK，峰值连续漏极电流达到160A

时间： 2020-11-19 来源：Shindengen

技术问答

P40LF12SNK是SHINDENGEN（新电元）公司推出的一款表面贴装（SMD）N沟道功率MOSFET器件，具有低结电容特性、低静态漏源导通电阻、大电流承受能力等特点。该功率MOSFET的栅极驱动电压为10V，储存温度和沟道温度均为-55~+175℃，漏源电压为120V，栅源电压为±20V，直流连续漏极电流为40A，峰值连续漏极电流为160A（脉冲宽度10μs, 占空比1/100），大电流特性使其可满足大功率电路设计需求。在ID=20A, VGS=10V测试条件下，P40LF12SNK导通电阻典型值仅为0.0123Ω。无卤素，无铅端子，符合RoHS标准认证。

此外，其总耗散功率为217W，在初始Tch=25°C，Tch≦150°C测试条件下的单脉冲雪崩电流为30A，单脉冲雪崩能量高达109mJ。同时，该功率MOSFET器件还具有较快的开关速度，在ID=20A, RL=30Ω, VDD=60V, Rg=0Ω,VGS(+)=10V, VGS(-)=0V测试条件下，其开启延迟、上升时间、关断延迟和下降时间典型值分别为6.5ns、10ns、64ns和25ns。

图1 实物图

特点：

•N沟道
•小型SMD表面贴装
•超大电流承受能力
•低导通电阻
•10V栅极驱动电压
•低结电容

•符合AEC-Q101
•无卤素
•无铅端子
•符合RoHS

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