【产品】采用DFN3.3x3.3封装的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A，漏-源电压达20V

时间： 2022-11-24 来源：扬杰科技

技术问答

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管 YJQ47N02A，采用沟槽型功率低压MOSFET技术；采用DFN3.3x3.3封装，有利于散热；采用高密度单元设计，可实现低RDS(ON) 。产品实物图和等效电路图如下：

产品概况

V_DS：20 V

I_D： 47 A

R_DS(ON)( at V_GS=4.5V)：＜6 mohm

R_DS(ON)( at V_GS=2.5V)：＜8 mohm

R_DS(ON)( at V_GS=1.8V)：＜14 mohm

一般描述

采用沟槽型功率低压MOSFET技术

出色的封装，有利于散热

高密度单元设计，实现低RDS(ON）

应用

DC-DC转换器

电源管理功能

绝对最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

_{订购信息（示例）}

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）

典型性能特性

电阻开关测试电路和波形图

二极管恢复测试电路和波形图

栅极电荷测试电路和波形图

UIS 测试电路和波形图

DFN3.3X3.3 封装信息

建议焊盘布局正面视图

注意：

1. 尺寸公差控制：毫米

2. 一般公差：±0.10mm

3. 焊盘布局仅作参考

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