【产品】采用DFN3.3x3.3封装的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A，漏-源电压达20V
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJQ47N02A，采用沟槽型功率低压MOSFET技术；采用DFN3.3x3.3封装，有利于散热；采用高密度单元设计，可实现低RDS(ON) 。产品实物图和等效电路图如下：
产品概况
VDS：20 V
ID： 47 A
RDS(ON)( at VGS=4.5V)： ＜6 mohm
RDS(ON)( at VGS=2.5V)：＜8 mohm
RDS(ON)( at VGS=1.8V)：＜14 mohm
一般描述
采用沟槽型功率低压MOSFET技术
出色的封装，有利于散热
高密度单元设计，实现低RDS(ON）
应用
DC-DC转换器
电源管理功能
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
订购信息（示例）
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
典型性能特性
电阻开关测试电路和波形图
二极管恢复测试电路和波形图
栅极电荷测试电路和波形图
UIS 测试电路和波形图
DFN3.3X3.3 封装信息
建议焊盘布局 正面视图
注意：
1. 尺寸公差控制：毫米
2. 一般公差：±
0.10mm
3. 焊盘布局仅作参考
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扬杰科技MOSFET选型表
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
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150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
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型号- YJG2D0G04AQ
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型号- YJG4D4G04A
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提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
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授权代理品牌：分立元件
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