国基南方携百瓦级GaN功率管、碳化硅电力电子芯片与模块等产品亮相中国国际信息通信展览会
6月4日,第31届中国国际信息通信展览会在北京开幕。在中国电科展区内,国基南方、55所代表核心元器件板块精彩亮相,全面展示了在5G通信、新能源汽车等领域核心芯片和关键元器件,充分展现了自主的关键核心技术能力。
本次展览,国基南方、55所围绕5G基站、5G终端、新能源汽车、AR/VR等重点领域,展出了百瓦级GaN功率管、终端滤波器、碳化硅电力电子芯片与模块、微显示器件等系列典型产品和技术,系统展示了从设计、工艺到封装、测试,从材料、芯片、模块到微系统的完整技术体系和产品体系,充分展现了射频电子、功率电子、光电显示等数字经济板块发展成果。各类核心芯片和关键元器件受到广泛关注,吸引了众多上级领导、观展嘉宾前来参观了解。
据悉,本届展会为期3天,以“打造信息大动脉,共享数智新时代”为主题,国内外400余家知名企业参展,全面展示信息通信产业发展建设成果。
未来,国基南方、55所将继续聚焦国家重大战略,抢抓发展机遇,矢志关键核心技术攻关,有力满足5G通信、汽车电子等产业核心芯片自主保障需求,为支撑国家通信产业链供应链安全稳定贡献新的更大力量。
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型号- UA25-220E0512H2,FN1-15D24B3N,FN1-XXDXXH6,FD30-36S09B3C,FD50-24S15B3C,PFD12-18D05A32,BK20-H1N4,FD20-110SXXB33-T,FA40-220S3V3H3N4,FD15-18S05A3,FD50-B33-TS,FA8-220S05B9N3-1,PFD12-18S09A3C2,KW3-24S24ER3,FD12-36S15A34,WD100-48S12N1,VD150-110S12N1,FD30-A3R-T,DD6-05SXXE3C2,FW2-XXSXXC,FA3-300SXXY2N3-TS,FD20-36S3V3A3C,RS485-05LSSV,FW2-12S12C,WD150-48S12N1,NN1-3V3S3V3ANT,FD20-XXSXXA3C2,RS485-XXXSAVC SERIES,NN3-05S09CN,BK40-600S12W2N4,KW1-24D05E3R3,FD6-36S15A3,K783V3-2000,DD10-24D05E3C2,DA5-220S05G9D4,PFD20-A3 SERIES,WD100-48S12Q1,NA150-220SXXL1 SERIES,BK20-600S24H1N4,NN2-A3NR3 SERIES,FA15-220S12V8Y2N3,FA15-220S12V7B9N3-1,FD6-110SXXA3N4-TS SERIES,NN2-12S15ANR3,FD20-A3C2,NW1-05D12DR3,RS485- HSAV,FA25-220SXXH2D4,RS485-XXXSAVC,KW1-24S12E3R3,WD50-110S12K1,RS485-XXHSA,FA20-300S3V3H2D4,FN1-05D05B3N,FD6-18S12B2C5,FA20-300S24H2D4,FD15-18D05A3,LC-AC01P2 SERIES,WD50-48S24K1,FA5-220E05XXC2D3,WD600-48S28R1,NN3-12S12C4N,UD6-36S3V3E3,WD150-48S12Q1,FD20-B33,FD15-A3-T SERIES,DA120-1000S24G1N4,FA15-220SXXG2N4 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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
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爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
目录- 公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200
新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析
受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸,目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展,越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-22
相机模块AR
相机模块AR(Anti Reflection)是指对镜头和玻璃进行防反射处理。由此可以抑制多余的反射,减少通过镜头的光损失。
技术问答 发布时间 : 2024-10-30
信驰达(RF-star)无线通信模块选型指南
描述- 信驰达(RF-star)是一家专注于低功耗无线射频应用的高新技术企业,致力于为客户提供基于 BLE、Wi-Fi、 UWB、Zigbee、Thread、Matter、Sub-1G、Wi-SUN、LoRa等核心技术的软硬件设计与制造,APP及物联网云后台开发、大数据分析、以及OEM与ODM服务,其产品及服务广泛分布于新能源汽车、消费电子、医疗电子、工业物联网、智慧能源等领域。公司于2010年在深圳成立,并陆续在香港、成都、北京,苏州设立分部。
型号- RF-BMPA-2541B1,RF-DG-52PA,RF-WM-20DNB1,RSBRS02AI,RF-WM-3235A1S,RF-SM-1277B2,RF-SM-1277B1,RF-BM-ND04I,RSBRS02AA,RF-WM-10AFB1,RF-BM-ND04C,RF-BM-S01,RF-BM-S02,RF-BM-2652P2I,RF-WM-3200B3,RF-WM-3200B1,3B32_V102,RF-BM-4044B5,RF-WM-20CMB1,RF-BM-ND05I,RF-BM-4044B2,RF-BM-4044B4,RF-SM-1077B2,RF-BM-4044B3,RF-SM-1077B1,RF-BM-2642B2,RF-BM-2642B1,RF-DG-40A,RF-BM-BG22B1,RF-ZM-2530P1I,RF-BM-BG22B3,RF-BM-BG22A3,RF-WM-3235B1S,RF-B-SR1,RF-BM-ND02C,RF-BM-4077B1,RF-BM-4077B2,RF-BM-MG24B2,RF-BM-MG24B1,RF-BM-ND04A,RF-BM-2652P7,VL-LE01B,VL-LE01A,RF-BM-2340T1,WE1005,RF-BM-2340T3,RF-BM-2340T2,RF-BM-BG22C3,RF-BM-2652P2,RF-BM-2652P3,RF-BM-2652P4,RF-BM-4077B1L,RF-BM-2652P1,RF-ZM-2530B1,RF-WM-ESP32B1,RSBRS02ABR-01,RF-BM-ND09A,RF-WM-11AFB1,RF-DG-22A,RF-BM-4055B1L,RF-BM-2340QB1,RF-BM-ND04CI,RF-BM-2340C2,RF-DG-52PAS,RF-B-AR3,RF-B-AR4,RF-B-AR1,RF-B-AR2,RF-BM-2652B1,RF-ZM-2530P1,RF-BM-2642QB1I,RF-BM-2652B2,RF-BM-BG22A1,RF-TI1352B1,RF-ZM-2530B1I,RF-NBE01,RF-BM-2340A2I,RF-BM-BG22A1I,RF-BM-2340B1,RF-BM-2652RB2,RF-WM-3235B1,RF-BM-2340B1C,RF-BM-S02A,RF-CC2540A1,RSBRS02ABR,RF-BM-ND10,RF-BM-S02I,RF-DG-32B,RF-BM-BG24B1,RF-BM-ND01,RF-BM-ND02,RF-BM-ND04,RF-BM-ND05,RF-BM-ND06,RF-BM-ND07,RF-BM-ND08,RF-BM-ND09,RF-SM-1044B2,RF-SM-1044B1,RF-BM-2340A2,RF-BM-2340B1I,RF-SM-1044B4,RF-TI1352P1,RF-WM-3235A1,RF-TI1352P2,RF-BM-2652P4I,RF-BM-ND08C,RF-BM-S01A,RF-BM-ND08A,RF-WM-3220B1,RF-BM-2651B1,RF-BM-BG24B2,RF-BM-BG22A3I,RSBRS02ABRI
【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力
深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。
新产品 发布时间 : 2023-06-22
【元件】新品速递!铭普光磁推出19英寸模块化储能系统,最大输出功率5760W,助力5G基站节费
mentech铭普光磁模块化储能系统通过模块化设计、支持多种电池接入以及实时监控功能,助力运营商提升能效,实现绿色能源的可持续发展。铭普光磁多年来致力于通信网络能源领域的研究,成功研发出了模块化储能系统,该系统把双向DC/DC变换部分做成模块,DC/DC变换模块和储能电池模块为两个独立的部分。
产品 发布时间 : 2024-10-25
【应用】485通信芯片SIT3088ETK助力5G基站AAU应用,-40~+125℃宽温工作满足高温需求
5G基站AAU是RRU与天线一体,天线控制这块很可能会在RRU发热和阳光暴晒下,温度超过常规的工业温度上线+85℃,在设计时,元器件选用时,要尽可能的达到105℃以上。芯力特推出的SIT3088ETK可以满足高达150℃应用,保证5G天线控制模块长期稳定工作。
应用方案 发布时间 : 2022-03-29
车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势
当前车规级功率器件的封装设计朝着高功率密度、 高工作效率、低热阻、低寄生参数、高绝缘能力和高集成度等方向发展,分析各封装设计手段对器件特性的影响,寻求针对特定需求的电学、热学和机 械等特征参数的最佳平衡,以满足不同应用场景, 适应高标准的发展需求,从不同角度综合考虑,达到多维度优化的最佳效果。本文阿基米德半导体来给大家分享车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-25
电子商城
品牌:EPSON
品类:REAL TIME CLOCK MODULE (I²C-Bus)
价格:¥3.9139
现货: 29,923
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量: 1支 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
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