【经验】解析关于内存卡外观信息知识及解决时钟超标的方法教程

时间： 2023-06-20 来源：韬略科技EMC公众号

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SD存储卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，由于它体积小、数据传输速度快、可热插拔等优良的特性，被广泛地于便携式装置上使用，例如数码相机、平板电脑和多媒体播放器等。

SD卡的信息解读

图 1

我们可以从卡的外观得到很多信息：

●容量等级：SD--最高2GB，SDXH--2-32GB，SDXC--32GB-2TB；

●VSC等级：VSC等级为视频传输速度等级（Video Speed Class），V6--6MB/s ，V10--10MB/s ，V30--30MB/s，V60--60MB/s，V90--90MB/s；

●UHS等级：UHS超高速总线模式等级（Ultra High Speed），支持第一代超高速UHS-I的SD卡的理论传输速度可达104MB/s，支持UHS-II的SD卡产品理论传输速度可达312MB/s，支持UHS-III的SD卡产品理论传输速度可达624MB/s；

●Class等级：表示卡的最低写入速度等级，Class 2--2MB/s，Class 4--4MB/s，Class 5--6MB/s，Class 10--10MB/s；

●U等级：UHS最低读写速度等级，U1--10MB/s，U3--30MB/s；

那么我们从卡上得到了这些信息就可以大概对SD卡进行选型了，SD卡的迭代更新使卡的速度变快那么对于一些使用SD卡的产品就有EMC辐射超标的问题接下来就分享一些内存卡辐射超标的案例。

案例分享

图 2

这是一款带有储存影像功能的摄像头使用的是64G高速卡在录制影像状态下测得的RE辐射测试结果，很明显可以看得出来这组数据上有间隔50MHz时钟问题的超标。一般在带有存储卡的设备上有50MHz时钟问题基本上就可以确定是存储卡上的时钟问题了。

解决时钟超标的方法：

●加入展频IC（在主晶振后端新增展频IC外围电路输出给MCU）、展频晶振（直接替换主晶振）；

●在主控给存储卡的时钟线上加入RC滤波、LC滤波；

●内存卡与主控连接的时钟线和数据线做到等长的布线；

●内存卡的时钟信号，与其他信号线的间距保证20mil左右，有空间的情况下，包地处理；

当然还有最快速的一种验证方法那就是.........

更换一张低速的TF卡，怎么比较卡的速率那就得从刚刚的内容去学习啦！

更换低速TF卡不仅仅在RE辐射中有效果，在进行静电测试的时候对TF卡放电出现异常状态并做了其他措施没有改善的情况下也可以更换一张低速的TF卡进行尝试，因为越高速的卡相应的时钟也会变高，只要有一点点干扰的情况下就可能会出现卡识别的异常导致视频画面异常，低速卡相对应对速率要求不那么高所以抗扰能力会比高速的TF卡能力强。

图 3

这是进行时钟处理后的数据，超标的数据很明显地下降了很多。所以我们在设计pcb板的时候可以把内存卡时钟线和其他信号线先做等长、包地的处理，并预留展频ic位置或者在时钟线上预留RC滤波的位置，把前期的工作都做好了后面万一有时钟的EMC问题就可以改动一下参数轻而易举地解决问题了。

内存卡在我们的电子产品中应用的非常多所以就有可能会有一些关于内存卡时钟超标的EMC问题，看完本篇文章就可以在前期Layout的时候进行一些措施的预留了，万一出现了问题也有对策。挑选内存卡的时候也对卡的信息有了一些大概的了解，如果再遇见这类问题的时候再重新看看本文也不迟，赶紧学习起来吧！

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