【产品】1200V N沟道增强型SiC MOSFET单管C2M0025120D，导通阻抗仅为25mΩ

时间： 2016-06-21 来源：世强

全球领先化合物半导体材料、功率器件产品供应商Cree公司推出了SiC N沟道增强型MOSFET单管器件C2M0025120D。该款MOSFET器件的额定电压为1200V，额定电流为90A。C2M0025120D可以广泛的应用于光伏发电、蓄电池充电装置、高压DC/DC变换器、开关电源、电机驱动等电力电子设备中。

该MOSFET采用TO-247封装，耐压达到1200V。其额定电流为90A，而且它具有正温度系数，易于并联。

图1：C2M0025120D实物与原理图

SiC N沟道增强型MOSFET器件C2M0025120D具有高频、高压、易于并联、低导通阻抗、低开关损耗等显著优点。它的导通阻抗仅为25 mΩ，输入寄生电容值为2788pF，输出寄生电容值为220pF。TO-247的脚距为5.56mm，宽度为15.8mm，单管的体积大约仅为4cm3（0.108 Inch3）。当然，产品的功率密度主要取决于磁性元件和散热设备的体积， C2M0025120D的高开关频率和低损耗的特点，也使得产品能取得很高的功率密度。总而言之，对于需要提高功率密度，选择C2M0025120D再合适不过。

C2M0025120D的产品特点：

• 高阻断电压，低导通阻抗

• 高开关速度，低寄生电容

• 易于并联，驱动简单

• 高雪崩击穿强度

• 防止闩锁效应

• 符合RoHS标准，无卤素

C2M0025120D的产品优势：

• 更高的系统效率

• 更小的散热设备体积

• 更高的功率密度

• 更高的系统的开关频率

C2M0025120D的应用场合：

• 光伏逆变器

• 开关电源

• 高压DC/DC变换器

• 电机驱动

• 脉冲功率设备

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全部评论（3）

北冥之鲲 Lv8 2019-02-03

碳化硅MOS导通电阻低，可以应用在高压充电桩变频部分。
闲云 Lv7. 资深专家 2019-05-07

东西不错
Chase Lv7. 资深专家 2018-05-28

学习

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2018-03-15 - 新产品

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2016-03-17 - 新产品

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2019-06-27 - 新产品

【应用】高速开关电源的最佳搭档 SI8271，驱动能力达4A，输入输出最大延时仅60ns

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2019-05-25 - 应用方案

COMMERCIALLY AVAILABLE SIC POWER DEVICES

型号- C4D40120D,CPM2-1200-0080B,CPM2-1200-0040B,CPW3-1700-S025B,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,CRD-001,CPM3-0900-0065B,CPW2-0650-S016B,C3D02060A,CRD-06AD09N,CRD-5FF0912P,CRD15DD17P,CRD-50DD12N-2,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3M0065100J,C3M0065100K,C3D08065A,C4D08120A,C3M0120090D,CPM2-1200-0025B,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,CPW4-1200-S002B,C3D25170H,CPW5-0650-Z030B,C4D30120D,C3D20060D,C3M0120090J,C3D08065I,CGD15FB45P1,C2M0160120D,C3D02060E,C3D02060F,CPM2-1700-0045B,C4D10120D,C4D10120A,C4D02120E,CPM3-1000-0065B,C3D04060A,C4D02120A,C2M0045170P,C4D10120H,C4D10120E,CPW3-1700-S010B,CRD-200DA09E,C3D16065A,CPW3-0650-S004B,CPW5-1700-Z050B,C3D1P7060Q,C3D16065D,CPW3-0600-S004B,C3D04060E,C3D04060F,KIT8020-CRD-8FF0917P-2,CRD-8FF1217P-1,CPW2-0650-S006B,CPW3-0600-S002B,CPW2-0650-S010B,CPM2-1200-0160B,CRD-50DD12N,C3D10060A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,CRD-8DD12P,CRD-200DA12E,C2D05120A,CPW3-0600-S003B,CPM3-0900-0030A,CGD15HB62LP,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,C3M0065090J,C4D15120A,C3M0065090D,CPWR-0600-S001B,CPW5-1200-Z050B,C3M0075120K,C3D10065I,C3M0030090K,C3D10065E,CGD15SG00D2,C3D08060A,CPW2-0600-S010B,C3D08060G,CPW4-1200-S005B,C3M0120100J,C3D20065D,C4D15120H,CPW4^1200-S015B,C3M0120100K,CPW2-0650-S012B,C3D12065A,C3D03060E,C3D30065D,C3D03060F,CPW2-1200-S050B,C3D16060D,CPW2-0600-S006B,C3D03060G,CPW2-0650-S008B,CRD-060DD17P-2,CPW4-1200-S010B,C3D03060A,CPW5-0650-Z050B,C2M0080120D,CRD-20AD10N,CAS300M17BM2,C2M1000170D,C3D06065A,C2M1000170J,C3D06065I,C4D20120H,C3D06065E,CAS325M12HM2,C3M0280090J,CRD-20DD09P-2,CPW4-1200-S003B,C3M0280090D,C5D50065D,C4D20120A,CGD15HB62P1,CVFD20065A,CRD-02AD09N,C4D20120D,KIT8020-,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,CRD-060DD12P,C3D04065E,CPW2-0600-S008B,C2M0025120D,C2M0080170P,CPM2-1700-0080B,C2M0040120D,CPW4-1200-S020B,C4D05120A,C4D05120E,CPM3-0900-0010A,CAS120M12BM2

2018/07/11 - WOLFSPEED - 数据手册

C2M0025120D碳化硅功率MOSFET C2M™MOSFET技术N沟道增强模式

型号- C2M0025120D

November 2023 - WOLFSPEED - 数据手册 - Rev. 06

C2M0025120D碳化硅功率MOSFET C2M TM MOSFET技术n沟道增强模式

型号- C2M0025120,C2M0025120D

10-2015 - WOLFSPEED - 数据手册 - Rev. B 查看更多版本

【应用】Wolfspeed SiC N沟道增强型MOSFET单管用于电焊机，实现高精度焊接

在电焊机市场，逆变模块通常采用IGBT模块来设计，开关频率一般在10kHz到75KHz。然而越来越多传统焊接客户要求高精度焊接，这就需要开关频率提高至250kHz左右，只能采用高开关频率SiC器件，Wolfspeed 碳化硅 MOSFET提供相关器件解决方案。

2019-03-30 - 应用方案

市售SiC功率器件

描述- Wolfspeed提供多种碳化硅（SiC）功率器件，包括MOSFET和肖特基二极管，旨在提高开关频率并减小组件尺寸。产品具有高阻断电压、低导通和开关损耗等特点。资料中详细列出了不同型号的器件，包括其阻断电压、导通电阻、电流额定值和封装类型。此外，还介绍了模块、门驱动板和参考设计，以支持客户的设计需求。

型号- C4D40120D,CPM2-1200-0080B,C3M0120090K,CPM2-1200-0040B,CPW3-1700-S025B,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,CRD-001,CPM3-0900-0065B,CPW2-0650-S016B,C3D02060A,CRD-5FF0912P,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3D08065A,C4D08120A,C3M0120090D,CPM2-1200-0025B,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,CPW4-1200-S002B,C3D25170H,CPW5-0650-Z030B,C4D30120D,C3D20060D,C3M0120090J,C3D08065I,C2M0160120D,C3D02060E,C3D02060F,CPM2-1700-0045B,C4D10120D,C4D10120A,C4D02120E,CPM3-1000-0065B,C3D04060A,C4D02120A,C4D10120E,CPW3-1700-S010B,C3D16065A,CPW3-0650-S004B,CPW5-1700-Z050B,C3D1P7060Q,C3D16065D,CPW3-0600-S004B,C3D04060E,C3D04060F,CRD-8FF1217P-1,CPW2-0650-S006B,CPW3-0600-S002B,CPW2-0650-S010B,CPM2-1200-0160B,CRD-50DD12N,C3D10060A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,CRD-8DD12P,C2D05120A,CPW4-1200-S008B,CPW3-0600-S003B,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,C3M0065090J,C4D15120A,C3M0065090D,CPWR-0600-S001B,CPW5-1200-Z050B,C3D10065I,C3D10065E,C3D08060A,CPW2-0600-S010B,C3D08060G,CPW4-1200-S005B,C3D20065D,CPW2-0650-S012B,C3D12065A,C3D03060E,C3D30065D,C3D03060F,CPW2-1200-S050B,C3D16060D,CPW2-0600-S006B,CPW2-0650-S008B,CRD-060DD17P-2,CPW4-1200-S010B,C3D03060A,CPW5-0650-Z050B,C3M0065090K,C2M0080120D,CAS300M17BM2,C2M1000170D,C3D06065A,C2M1000170J,C3D06065I,C3D06065E,CAS325M12HM2,C3M0280090J,CPW4-1200-S015B,CRD-20DD09P-2,C3M0280090D,C5D50065D,C4D20120A,CVFD20065A,C4D20120D,KIT8020-,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,CRD-060DD12P,C3D04065E,CPW2-0600-S008B,C2M0025120D,C2M0040120D,CPW4-1200-S020B,C4D05120A,C4D05120E,CPM3-0900-0010A,CAS120M12BM2

2017/08/28 - WOLFSPEED - 技术文档 - Rev. -

基于为全球供应超过90% SiC晶片的SiC技术平台的Wolfspeed Sic Mosfet

Wolfspeed SiC MOS坚固、可靠，低电容，可高速切断；具备低RDS(on),高阻断电压。关断延迟小于13ns；工作电压 900-1700V；工作频率可达400KHz；降低系统成本，提高系统可靠性，实现更高的系统效率，减少散热要求。世强是WOLFSPEED分销商，可供应wolfspeed Sic MOSFET产品，提供wolfspeed Sic MOSFET数据手册、技术支持等

2018-09-30 - 原厂动态

克里族电力管和T&R包装和船舶参考卡

描述- 本资料提供了Cree公司生产的肖特基二极管的包装和装运参考信息。内容包括不同型号的二极管（如CSD01060A、C3D02060E等）的封装类型、容器类型、容器数量、工厂标准包装量（SPQ）和最小订货量（MOQ）。此外，资料还提供了二极管的尺寸图、装运管盒示例和相关链接，方便用户了解产品细节和设计支持。

型号- C3D04065E-TR,C4D40120D,C3D03065E-TR,C3D02065E-TR,C3D06065E-TR,C5D10170H,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,C3M0021120D,C3D02060A,CSD01060A,C3M0065100J,C3M0021120K,C3M0065100K,C3D08065A,C4D08120A,C5D25170H,C3M0120090D,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,C3D25170H,C4D30120D,C3D20060D,C3D08065I,C3M0120090J,C3D02060E,C2M0160120D,C3D02060F,C3D10065E-TR,C4D10120D,C6D06065A,C4D10120A,C3M0015065D,C4D02120E,C3D04060A,C4D02120A,C4D08120E-TR,C3M0015065K,C3D03060E-TR,C2M0045170P,C3D02060E-TR,C4D10120E,CSD01060E-TR,C3D16065A,C4D05120E-TR,C3D16065D,C3D04060E,C3D04060F,E4D20120A,C5D05170H,C3D10060A,C6D08065A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,C3D02065E,C3D10065A,C3M0075120D,C3M0065090J,E3M0280090D,C4D15120A,C3M0065090D,C3M0032120D,C3M0075120K,C3M0075120J,C3D10065I,C3M0030090K,C6D10065A,C3D10065E,C3M0032120K,C3D06060G-TR,C3D08060G-TR,C3D08060A,C3M0065090J-TR,C2M1000170J-TR,C3D08060G,C3M0120100J,C3D20065D,C3M0120100K,C3M0060065K,C3M0060065J,C3D03060E,C3D03060F,C3D16060D,C6D04065A,C4D02120E-TR,C3D03060A,C3M0060065D,C3D16065D1,C3M0016120K,C2M0080120D,C2M1000170D,C3D06065A,E4D10120A,C3D10060G-TR,C2M1000170J,C3D04060E-TR,C3D06065I,C3D06065E,C3M0280090J,C5D50065D,C4D20120A,C3M0280090D,CVFD20065A,C4D20120D,C3D04065A,C3D04065E,C2M0025120D,E3M0120090D,C2M0080170P,C2M0040120D,C4D10120E-TR,C4D05120A,C4D05120E,C3D08065E-TR,E3M0065090D

03-2020 - WOLFSPEED - 技术文档 - Rev. F 查看更多版本

克里族电力管和T&R包装和船舶参考卡

描述- 本资料为Cree Power Tube and T&R Pack-and-Ship Reference Card，主要介绍了Cree公司生产的多种型号的肖特基二极管（Schottky Diodes）和MOSFETs的包装和装运信息。包括不同型号的器件编号、封装类型、容器类型、容器数量、工厂标准包装量（Factory SPQ）和最小订货量（MOQ）。此外，还提供了Tape & Reel包装的尺寸图和产品描述，以及相关链接和版权信息。

型号- C3D04065E-TR,C4D40120D,C3D03065E-TR,C3D02065E-TR,C3D06065E-TR,C5D10170H,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,C3M0021120D,C3D02060A,CSD01060A,C3M0065100J,C3M0021120K,C3M0065100K,C3D08065A,C4D08120A,C5D25170H,C3M0120090D,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,C3D25170H,C4D30120D,C3D20060D,C3D08065I,C3M0120090J,C3D02060E,C2M0160120D,C3D02060F,C3D10065E-TR,C4D10120D,C6D06065A,C4D10120A,C4D02120E,C3D04060A,C4D02120A,C4D08120E-TR,C3D03060E-TR,C2M0045170P,C3D02060E-TR,C4D10120E,CSD01060E-TR,C4D05120E-TR,C3D1P7060Q,C3D16065D,C3D04060E,C3D04060F,E4D20120A,C5D05170H,C3D10060A,C6D08065A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,C3D02065E,C3D10065A,C3M0075120D,C3M0065090J,E3M0280090D,C4D15120A,C3M0065090D,C3M0032120D,C3M0075120K,C3M0075120J,C3D10065I,C3M0030090K,C6D10065A,C3D10065E,C3M0032120K,C3D06060G-TR,C3D08060G-TR,C3D08060A,C3M0065090J-TR,C2M1000170J-TR,C3D08060G,C3M0120100J,C3D20065D,C3M0120100K,C3D03060E,C3D03060F,C3D16060D,C6D04065A,C4D02120E-TR,C3D03060A,C3D16065D1,C3M0016120K,C2M0080120D,C2M1000170D,C3D06065A,E4D10120A,C3D10060G-TR,C2M1000170J,C3D04060E-TR,C3D06065I,C3D06065E,C3M0280090J,C5D50065D,C4D20120A,C3M0280090D,CVFD20065A,C4D20120D,C3D04065A,C3D04065E,C2M0025120D,E3M0120090D,C2M0080170P,C2M0040120D,C4D10120E-TR,C4D05120A,C4D05120E,C3D08065E-TR,E3M0065090D

12-2019 - WOLFSPEED - 技术文档 - Rev. E

克里族电力管和T&R包装和船舶参考卡

描述- 本资料为Cree Power Tube and T&R Pack-and-Ship Reference Card，主要介绍了Cree公司生产的多种Schottky二极管、MOSFET和功率模块的包装和运输信息。内容包括产品型号、封装类型、包装容器、容器数量、工厂标准包装量（SPQ）和最小订货量（MOQ）。此外，还提供了不同封装类型的尺寸图和运输包装示例。

型号- C3D02065E,C3D04065E-TR,C3D10065A,C4D40120D,C3D03065E-TR,C3M0065090J,C3D02065E-TR,C3D06065E-TR,C4D15120A,C3M0065090D,C5D10170H,C3D10065I,C3M0065090B,C3D10065E,C3D06060G-TR,C3D08060G-TR,C2M0280120D,C3D08060A,C3M0065090J-TR,C3D10170H,C3D03065E,C3D08060G,C3D20065D,C3D02060A,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3D03060E,C3D03060F,C3D16060D,C4D02120E-TR,C3D08065A,C4D08120A,C5D25170H,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,C3D03060A,C3D25170H,C4D30120D,C3D20060D,C3D08065I,C3D02060E,C2M0080120D,C2M0160120D,C3D02060F,C3D10065E-TR,C4D10120D,C4D10120A,CAS300M17BM2,C4D02120E,C2M1000170D,C3D04060A,C3D06065A,C4D02120A,C4D08120E-TR,C3D03060E-TR,C3D10060G-TR,C3D02060E-TR,C4D10120E,C3D04060E-TR,C3D06065I,CSD01060E-TR,C4D05120E-TR,C3D06065E,C3D1P7060Q,C3D16065D,C5D50065D,C4D20120A,C3D04060E,C3D04060F,CVFD20065A,C4D20120D,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,C3D04065E,C2M0025120D,C5D05170H,C2M0040120D,C4D10120E-TR,C3D10060A,C3D06060F,C4D05120A,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,C4D05120E,C3D08065E-TR,CAS120M12BM2

01-2019 - WOLFSPEED - 技术文档 - Rev.B

C2M0025120D碳化硅功率MOSFET C2MTM MOSFET技术

型号- C2M0025120,C2M0025120D

10-2015 - WOLFSPEED - 数据手册 - Rev. B

MOSFET-TO-247-3 RoHS符合性声明

描述- Cree公司于2019年12月19日修订的RoHS符合性声明，涵盖自2019年12月19日起由Cree及其子公司制造并出货的指定产品。这些产品符合欧盟RoHS2指令（2011/65/EU），不含有超过规定限量的有害物质。此外，产品符合IEC 61249-2-21卤素免费规范，溴和氯浓度均低于900 ppm，总卤素浓度低于1500 ppm。声明由全球产品合规经理Michael Richard签署。

型号- C2M0045170D,CMF10120D,C2M1000170D,C2M0025120D,CMF20120D,C2M0040120D,C2M0080120D,C2M0160120D,C2M0280120D

12/19/2019 - WOLFSPEED - 测试报告

【选型】不同功率的充电桩设计方案全攻略

CREE 1200V的SIC MOSFET C2M系列，在低导通电阻下具有高阻断电压，便于并联使用，非常容易驱动。

2017-01-16 - 器件选型

研讨会讲义：节能减排便捷高效 —— 新能源汽车的电驱与电池解决方案

描述- 本文主要介绍了新能源汽车的电驱与电池解决方案。内容涵盖新能源汽车的主要构成，包括电机、电池组、逆变器等关键部件。详细阐述了新能源汽车的发展现状，从2011年到2014年的销量数据，到2020年国务院规划的电动汽车与混合动力汽车的生产能力和累计销量。重点介绍了新能源汽车的电驱解决方案，包括汽车级门极驱动光耦、汽车级IGBT驱动光耦等，以及车载DC-DC SiC MOSFET等大功率器件。同时，也介绍了新能源汽车的电池解决方案，包括电池管理系统（BMS）和相关的通讯隔离光耦。

型号- ACPL-38JT-000E,C2M0040120,ACPL-C87A-500E,CAS300M17BM2,ACPL-C87A,ACPL-C87BT-000E,C2M0080120,ACPL-312T,ACPL-C87X,C2M0025120,ACPL-312T-000E,ACPL-K33T,ACPL-K33T-560E,ACPL-782T,CAS100H12,ACPL-K30T-560E,CAS300M12BM2,ACPL-32JT-500E,CAS300M17,C2M0025120D,ACPL-C797T,ACPL-K34T-000E,C2M0040120D,CAS300M12,ACPL-344JT-500E,ACPL-782T-000E,ACPL-31JT,ACPL-K30T,ACPL-31JT-000E,ACPL-344JT,ACPL-K34T,ACPL-32JT,C2M0080120D,ACPL-38JT,ACPL-C797T-000E,CAS100H120AM1,ACPL-C87BT

2016年01月01日 - WOLFSPEED,AVAGO - 培训文档-商品应用及供应商介绍