【产品】8Gbit双倍数据速率DDR3L同步DRAM（SDRAM）AS4C1G8D3LA，78-ball FPGA封装
ALLIANCE Memory推出了一款结构为128M words x 8 bits x 8 banks、双倍数据速率（DDR3L）同步DRAM（SDRAM）AS4C1G8D3LA。
规格：
- 容量: 8G bits
- 结构 128M words x 8 bits x 8 banks
- 封装 78-ball FPGA, 无铅和无卤素封装
- 供应电源:
VDD, VDDQ = 1.35V (1.283V to 1.45V)
向后兼容VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 传输速率：1866Mbps
- 2KB页面大小
- 行地址: A0~A15
- 列地址: A0~A9，A11
- 8个内部bank用于并行操作
- 突发长度（BL）为8， 并带4位突发突变(BC
- 突发模式（BT）:顺序/交错
- /CAS延时(CL) : 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11,13
- /CAS写入延时(CWL) : 5, 6, 7, 8, 9
- 预充电：在突发序列结束时启动自定时行预充电
- 输出驱动阻抗: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
- 刷新模式: 自动刷新，自我刷新
- 刷新周期:
平均刷新时间
7.8 μs at -40°C ≤ Tc ≤ +85°C
3.9 μs at +85°C < Tc ≤ +105°C
- 工作温度范围：
商用级 Tc = 0°C to +95°C
工业级 Tc = -40°C to +95°C
车规级 Tc = -40°C to +105°C
特性：
- 采用双倍数据速率架构，每个时钟周期可传输两次数据
- 8位预流水线结构可实现高速数据传输
- 双向差分数据选通 (DQS＆ /DQS )可在捕捉数据时实现发送/接收同步进行
- DQS与读取数据的边缘对齐；与数据写入居中对齐
- 差分时钟输入
- 支持同步ODT,异步ODT及动态ODT
- 预定义模式读取的多用途寄存器(MPR)
- ZQ校准DQ驱动及ODT
- /RESET管脚用于控制上电时序及复位功能
- SRT范围：正常/扩展
- 可编程输出驱动阻抗控制
表格1 . 订购信息
表格2.速率等级信息
PIN脚定义
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产品型号
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品类
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Product Family
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DENSITY
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ORGANISATION
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VCC(V)
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TEMPERATURE RANGE(°C)
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PACKAGE
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MSL LEVEL
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AS7C164A-15JCN
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存储器
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FAST-Asynch
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64K Fast
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8K x 8
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5V
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Commercial (0 ~ 70°C)
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28pin SOJ(300mil)
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3
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选型表 - ALLIANCE 立即选型
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型号- AS4C512M16D4A,AS4C512M16D4A-62BANXX,AS4C512M16D4A-62BAN
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