【选型】可替代东芝TC58BVG1S3HTAI0B4H的2G NAND flash芯片GD5F2GQ4UB9IGR
Nand Flash是一种大容量FLASH存储芯片,掉电情况下能保护数据,常用于存储G bit以上级别的FLASH芯片，在汽车、安防、消费、通信等要求数据保存功能的领域存在广泛应用。针对2G bit SPI Nand Flash，东芝的TC58BVG1S3HTAI0B4H,由于供货周期和价格方面的原因，需要备选替代方案。
兆易创新作为国内首家成功研发移动高速存储芯片的公司，推出了一款6*8mm封装的2 Gbit nand Flash芯片GD5F2GQ4UB9IGR，可以完美替代市场上应用的东芝的TC58BVG1S3HTAI0B4H，以下是两种器件电气性能参数对比：
表1 兆易创新的GD5F2GQ4UB9IGR与东芝的TC58BVG1S3HTAI0B4H参数对比
从上表中可以看出，两个器件存储容量、通信方式、工作电压和工作温度都基本一致，但国产兆易创新GD5F2GQ4UB9IGR
1.支持LGA 8mm*6mm小封装，,封装更小且性价比更高
2.运行模式下最大40mA,低功耗电流低至110uA,节约功耗
3.支持ECC保护功能,每512字节一个ECC字节.
从以上对比中可得GD5F2GQ4UB9IGR与TC58BVG1S3HTAI0B4H两个器件其主要功能完全一对致，兆易创新的serial Flash芯片GD5F2GQ4UB9IGR支持更小封装6mm*8mm的型号,完全可以替代TC58BVG1S3HTAI0B4H.
除了上述小封装方面的优势，兆易创新GD5F2GQ4UB9IGR还具有现货供应、快速样品支持、后续量产服务、低价格,是需要数据保存功能行业应用的最佳选择。
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