【应用】南京益昂晶振5001CAA200M0000BBI用于局部放电测试仪，精度达±35ppm

时间： 2022-11-24 来源：世强

技术问答

当电气设备产生局部放电时，会产生电磁波，电磁波在向外传播时会生成一个暂态的对地电压信号，利用专业的局部放电测试仪，对该信号进行检测，就可以测得发生局部放电的位置与检测点的远近及放电程度，现已应用于变压器、GIS、开关柜、电缆、避雷器、互感器等高压电气设备。

局部放电测试仪可根据不同的应用场合，配合不同的传感器，结合超声波检测、高频检测等检测技术，采集到放电信号，并通过高速AD转换电路完成信号的数字化，再经过数字信号处理、自适应滤波等干扰信号处理技术，保障检测数据的可靠性。

在局部放电测试仪的高速AD转换电路中，本文推荐时钟采用的是南京益昂推出的5001CAA200M0000BBI，精度±35ppm，支持双路LVCMOS，LVPECL，LVDS差分输出，HCSL及CML等多种输出格式，3225封装尺寸满足大部分客户需求，输出频率200MHz，满足选用的ADC 200MSPS的采样速率，VDD1.8V，温度范围-40℃~+85℃。

下面是具体应用框图和封装引脚图：

图1：具体应用框图

图2：封装引脚图

综上所述，南京益昂推出的晶振5001CAA200M0000BBI非常适用于局部放电测试仪。

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研讨会2024时钟及晶振新技术研讨会

12月19日在线直播，带来超高精度恒温晶振、超低功耗时钟发生器、车规认证RTC、低抖动高频差分晶振、低功耗实时时钟模块等最前沿的新技术新产品

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【产品】AS5001 Arcadium™单频点全硅振荡器，可产生10 kHz至350 MHz频率范围的任意频点

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选型指南 - 南京益昂 PDF 中文下载

AS5231 Kronos™ Ultra Low Jitter Low-Amplitude CMOS TCXO

型号- 5231HAAA--------DAIR,AS5231

数据手册 - 南京益昂 - Rev 0.07 - Apr 2024 PDF 英文下载

南京益昂可编程硅振选型表

固定频率晶振,引脚可选晶振,I²C可编程晶振,CMOS晶振，0.375~333MHz任意频点，抖动低于350fs，任意的差分和单端输出格式，4pin 3225，6pin 3225 及5032；

产品型号	品类	频率（MHz）	输出格式	封装尺寸（Package）	总稳定度	电源（V）	工作温度（°C）
511AAA10M00000BBI	CMOS晶振	10MHz	CMOS	3225	50ppm	1.8V/2.5V	-40°C to 85°C