【产品】具有ESD保护功能的N沟道高级功率MOSFET RU60E25L，漏源电压可达60V
锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET RU60E25L，采用超高密度单元设计，具有ESD保护功能，可靠且坚固，可以提供无铅和绿色器件（符合RoHS），TA=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压可达60V。
引脚说明
特点：
• 60V/25A，
RDS(ON)=35mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS(ON)=42mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
• 超高密度单元设计
• ESD保护
• 可靠且坚固
• 提供无铅和绿色器件（符合RoHS）
应用
• 电源管理
绝对最大额定值
电气特性（除非另有说明，否则TA=25℃）
注意
①脉冲宽度受安全工作区限制。
②根据最大允许结温计算的连续电流。
③受TJmax限制，IAS=11A，VDD=48V，RG=50Ω，起始TJ=25℃。
④脉冲测试；脉宽≤300μs，占空比≤2%。
⑤设计保证，不代表生产测试。
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