【产品】具有ESD保护功能的N沟道高级功率MOSFET RU60E25L，漏源电压可达60V
锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET RU60E25L，采用超高密度单元设计，具有ESD保护功能，可靠且坚固，可以提供无铅和绿色器件（符合RoHS），TA=25℃时，绝对最大额定值方面，漏源电压可达60V。
引脚说明
特点：
• 60V/25A，
RDS(ON)=35mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS(ON)=42mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
• 超高密度单元设计
• ESD保护
• 可靠且坚固
• 提供无铅和绿色器件（符合RoHS）
应用
• 电源管理
绝对最大额定值
电气特性（除非另有说明，否则TA=25℃）
注意
①脉冲宽度受安全工作区限制。
②根据最大允许结温计算的连续电流。
③受TJmax限制，IAS=11A，VDD=48V，RG=50Ω，起始TJ=25℃。
④脉冲测试；脉宽≤300μs，占空比≤2%。
⑤设计保证，不代表生产测试。
订购和标记信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由叫我大表哥吧翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】漏源电压绝对最大额定值为20V的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，采用超高密度单元设计
锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点，适合用于电源管理。
【产品】20V/6A双N沟道高级功率MOSFET RU8205G，具有超高密度单元设计，适用于电源管理
锐骏半导体推出的双N沟道高级功率MOSFET RU8205G，其漏源电压20V，漏极持续电流6A，最大结温150℃。该产品还具有超高密度单元设计、可靠坚固、无铅环保等特点，适用于电源管理。
【产品】30V/20A N沟道高级功率MOSFET RU30D20H，适用于开关应用系统
锐骏半导体推出N沟道高级功率MOSFET—RU30D20H，漏源电压30V，漏极电流20A，工作范围-55~150℃，低栅极电荷，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统。
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET：Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
|
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
电子商城
现货市场
服务
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品，耐温范围-40℃~125℃，电感量最高1200mH。
最小起订量： 1 提交需求>
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论