【产品】150V/22A N沟道增强型MOSFET PSMD460N15NS1，最大漏源导通电阻为46mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用TO-252AA封装的N沟道增强型MOSFET—PSMD460N15NS1，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为150V，连续漏极电流为22A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为46mΩ（VGS=10V, ID=20A）。它具有高开关速度和低反向传输电容等特点，适用于PD充电器、BMS、无刷直流电机驱动开关。
产品外观和示意图
特点：
漏源导通电阻RDS(ON) <46mΩ（VGS=10V，ID=20A）
漏源导通电阻RDS(ON) <60mΩ（VGS=7V，ID=10A）
高开关速度
低反向传输电容
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
外壳：TO-252AA 封装
端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.0105 盎司，0.297克
应用：
PD充电器、BMS、无刷直流电机驱动开关的SR解决方案
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
热特性：
电气特性（TA=25℃，除非特别说明）：
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