【产品】采用TO-220F封装的N沟道MOSFET TMA10N50H，有快速切换特性，漏源电压最大为500V

时间： 2022-11-04 来源：无锡紫光微

技术问答

TMA10N50H是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，T_C=25℃时，器件漏源电压最大额定值为500V（V_GS=0V），持续漏极电流最大额定值为10A，耗散功率最大额定值为64W（T_C=25℃）。该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。

主要特性：

快速切换特性
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力

应用领域：

开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）

Note:

1.重复额定值：脉宽受限于最大结温

2.I_AS=6A，V_DD=50V，R_G=25Ω，Starting T_J=25℃

热特性

订购信息

器件封装

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由飞猫警长翻译自无锡紫光微，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】无锡紫光微推出650V N沟道MOSFET，持续漏极电流为10A，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃

无锡紫光微（UNIGROUP）推出650V N沟道MOSFET，100%通过雪崩测试，可应用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃。

产品发布时间 : 2023-01-31

【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力

无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(VGS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。

产品发布时间 : 2023-02-28

【产品】切换速度快的N沟道MOSFET TMA10N60HF，耗散功率最大值为65W

TMA10N60HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、电机控制和功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。

产品发布时间 : 2022-12-09

SFD3008T.P 80A, 30V N-CHANNEL MOSFET

型号- SFD3008T,SFD3008T.P

数据手册 - HI-SEMICON - Rev 1.1 - 2022/3/31 PDF 英文下载

SFD3008T 80A, 30V N-CHANNEL MOSFET

型号- SFD3008T

数据手册 - HI-SEMICON - Rev 1.1 - 2021/2/26 PDF 英文下载

TMA18N50H 500V N-Channel MOSFET

型号- TMA18N50H

数据手册 - 无锡紫光微 - V1.0 - 2022/3/3 PDF 英文下载

TMV25N50H TMW25N50H 500V N-Channel MOSFET

型号- TMV25N50H,TMW25N50H

数据手册 - 无锡紫光微 - V1.0 PDF 英文下载

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG，开关速度快

无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

新产品发布时间 : 2020-08-01

JST5NH50X 500V N-Channel Mosfet

型号- JST5NH50TF,JST5NH50X,JST5NH50T2,JST5NH50T1,JST5NH50TC,JST5NH50TS

数据手册 - JESTEK - Version：11 - 2020/8/13 PDF 英文下载

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ

无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

新产品发布时间 : 2020-09-28

【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用

美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产，漏源电压500V，连续漏极电流5A，耗散功率分别为73W/38W，采用TO-220/TO-220F封装，适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

新产品发布时间 : 2020-03-12