【产品】采用TO-220F封装的N沟道MOSFET TMA10N50H，有快速切换特性，漏源电压最大为500V

时间： 2022-11-04 来源：无锡紫光微

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TMA10N50H是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，T_C=25℃时，器件漏源电压最大额定值为500V（V_GS=0V），持续漏极电流最大额定值为10A，耗散功率最大额定值为64W（T_C=25℃）。该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。

主要特性：

快速切换特性
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力

应用领域：

开关模式电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
功率因数校正（PFC）

最大额定值参数（T_C=25℃，除非特别说明）

Note:

1.重复额定值：脉宽受限于最大结温

2.I_AS=6A，V_DD=50V，R_G=25Ω，Starting T_J=25℃

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