【产品】P沟道逻辑增强型MOSFET AM4409,适用于电池供电电路的高边开关电路

2019-06-23 AIT
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AIT推出的AM4409P沟道逻辑增强型MOSFET,采用先进的高单元密度沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低通态电阻,特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理等电池供电电路的高边开关电路。AM4409采用SOP8封装,其引脚分布图如图1所示。

图1 AM4409引脚分布图

AM4409产品特性

-30V/-15A,RDS(ON)=5.5mΩ(典型值)(VGS=-10V)

-30V/-10A,  RDS(ON)=6.5mΩ(典型值)(VGS=-4.5V)

•先进的设计致力于实现极低的RDS(ON

表现卓越的导通电阻性能和最大直流载流能力

ESD保护:3kV

采用SOP8封装

AM4409应用领域

高频负载点同步

DC-DC电源系统

负载开关

AM4409订购信息




授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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型号- 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A Fabless IC Design Company for Analog & Mixed Signal Circuits

型号- 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

2022/3/17  - AIT  - 商品及供应商介绍 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

WPM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET

型号- WPM9435,WPM9435-8/TR

Jul, 2018  - WILLSEMI  - 数据手册  - Rev 1.5 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货 查看更多版本

【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435,SOP8封装

AiT推出的AM9435是P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度,先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。

2021-11-18 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
2022/11/6  - 虹美功率半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

WPM4803 P-Channel Enhancement Mode MOSFET

型号- WPM4803-8/TR,WPM4803

Jul, 2018  - WILLSEMI  - 数据手册  - Rev 2.6 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货 查看更多版本

【产品】采用先进的沟槽技术的N和P沟道增强型MOSFET AP2520ES6,ESD保护高达2.0KV(HBM)

铨力半导体推出的采用SOT-23-6L封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2520ES6,采用先进的沟槽技术,是无铅产品,ESD保护高达2.0KV(HBM),适用于接口开关,负载开关,逻辑电平转换等应用。

2023-03-23 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

【产品】SOT-523封装的P沟道增强型MOSFET AP3139KE,ESD保护高达2.0KV(HBM)

铨力半导体推出一款采用SOT-523封装的P沟道增强型MOSFET AP3139KE,采用先进的沟槽技术,漏源电压最大额定值为-20V,连续漏极电流最大额定值为-0.66A(Ta=25℃),无铅产品,ESD保护高达2.0KV(HBM),适用于接口开关、负载开关、逻辑电平转换等应用。

2023-03-10 -  产品 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
2014 SEP  - 华冠半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
2021/11/18  - 群芯微  - 数据手册 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货

AM4409 MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

型号- AM4409,AM4409M8VR,AM4409M8R

MAR 2017  - AIT  - 数据手册  - REV1.0 代理服务 技术支持 现货查询 批量订货
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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。

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