【应用】高速开关电源的最佳搭档 SI8271，驱动能力达4A，输入输出最大延时仅60ns
高速开关电源可以降低变压器的尺寸，减小滤波电容和储能电感，提高输出功率，使电源小型化，提高电源效率。高速开关电源的关键是提高开关管的开关速度，通常需要作为开关管的MOSFET的结电容足够小，目前SIC MOSFET可以做到高耐压，高开关特性，但要实现这个特性，必须有高速大电流驱动电路，SILICON LABS的SI8271是最佳搭档。
图1.SI8271内部架构
如图1所示，SILICON LABS RF隔离的栅极驱动电路SI8271具有很高的共模瞬变抗扰度 （200kV/μs）和闩锁抑制能力（400kV/μs），非常适用于具有快速开关和潜在噪声的电源系统。其驱动能力达4A，输入输出最大延时仅60ns,死区时间可编程，输入端电源为2.5–5.5 V，驱动端电源为4.2–30 V，汽车级工作温度范围–40 to 125 °C。
图2.SI8271驱动端的上升和下降时间
如图2所示，SI8271驱动端的上升和下降时间仅十几ns,从该驱动电路的上升沿/下降沿及延时数据看，可匹配几百KHZ的开关电源。
WOLFSPEED（科锐） 碳化硅MOSFET C2M0045170D具有低导通内阻（45 mΩ），导通电流可达72 A，耐压1700V，适合高压大功率开关电源。在VDD = 1200 V, VGS = -5/20 V，ID = 50 A环境下，开关延时在50ns 左右，上升沿和下降沿均小于20ns，关键延时参数与SI8271非常匹配。
图3. 高速大功率开关电源架构
我司可根据不同功率，不同拓扑结构的高速电源提供单路，双路和半桥驱动电路，以及不同耐压和电流的SIC MOSFET和肖特基二极管
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