【经验】以SIC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略
在SiC MOS应用中,通常在mos关断过程中存在较大的Vds尖峰,主要原因在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中,并与开关元件的寄生电容共振所产生的。本文将以ROHM SiC MOSFET SCT3040KR为例说明SiC MOS应用中Vds关断尖峰的应对策略。
图1 Vds尖峰产生电流环路图
要消除这种振铃效应通常可以使用加入RCD缓冲电路解决:
图2 RCD缓冲电路
缓冲电路内的电阻仅消耗超过高压输入电压HVdc 的浪涌量,因此非放电型缓冲电路是最适合高频开关电路的电路方式,但版图布局会变得复杂,因此采用4 层以上的PCB 板比较理想。
缓冲电路内的电阻所消耗的功率PSNB,是全部由缓冲电路内的电阻RSNB 消耗的:
在该公式中,LTRACE 为主电路的布线电感,即到大容量(DC 链路)电容器的布线电感,IMAIN 为MOSFET 关断时的漏极电流,fSW为MOSFET 的开关频率。缓冲电容器的电容量CSNB 可根据电感中积蓄的能量,通过以下公式求得:
在该公式中,VHVdc 为高压电源,VSURGE 为浪涌电压的最大值。
关于RCD缓冲电路详细设计可以参考ROHM 应用笔记【缓冲电路的设计方法】。
加入RCD缓冲电路后Vds尖峰前后对比:
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SiC MOSFET 5kW 高效率无风扇逆变电路
描述- 采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET高频特性的Trans-link交错型逆变电路(1)、实现了5kW时的功率转换效率达到99%以上。在该电路拓扑中,平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的匝数减少、使铜损大幅度减少实现了高效率。在这份资料中,介绍这个全新的逆变器设计的例子。
型号- PS2501L-1,MCR18ERTJ200,NJM78L05UA,MCR03EZPJ332,MCR03EZPJ334,RK73B1JTTD104J,PC092-01-00,B4B-XH-A,TR10P,DE1E3KX222MA4BN01,RK73B1JTTD472J,GRM188B31H104KA92,RB751S-40,MB3P-90,RK73B2BTTD105J,RK73B2BTTD4R7J,PH-1X10RG2,RK73B1JTTD103J,B5B-PH-K-S,PH-2X09SG,SSM3K318T,GRM1851X1H472JA44,KRB-408,GRM188B11H103KA01,HOT-2608B,ELXZ350ELL101MF15D,TLP700A,SCT3030AL,GRM188R11H104KA93,MCR10ERTJ4R7,TC4069UBF,RK73B1JTTD102J,PC045-00-00,S4B-EH,MOSX1C1R0J,NJM431U,GRM185B31E105MA12,DE1E3KX102MA4BN01,2SCR542P,GRM188R71E104KA01,PH-2X04SG,FHU-2×4SG,MCR10EZPJ105,PH-2X08SG,RK73B1JTTD153J,RK73B1JTTD101J,MCR03EZPJ101,ADR-48-50-0R5YA,MCR03EZPJ102,MCR03EZPJ103,24LC64SN,EG01C,MCR03ERTJ302,CQ-3303,CT-6E-P5KΩ,TR008A,1SS355,NE555D,ECQE6103KF,MCR18ERTJ4R7,ES1A,GRM188B11H102KA01,PC089-01-00-50P,NJM2732M,BFC233920105,MB4P-90,MCR03ERTJ331,B3P-VH,TBD,STR-A6079M,ACPL-C87AT,SCS212AM,MCR18ERTJ1R0,TRANS-LINK,GRM1851X1H222JA44,2SAR542P,MOSX1C334J,MCR03ERTJ202,FHU-2X9SG,VDCT,UDZS5.1B,ECQE6104KF,ELXZ100ELL681MF15D,S3B-EH,RK73B1JTTD271J,2SC3325,PH-1X04SG,MCR03EZPJ152,GRM188R71E105KA12,ELXS451VSN561MA50S,GRM21BR71E105KA99,MCR03ERTJ470,RK73B1JTTD470J,SCT3017AL,RK73B2BTTD563J,RK73B1JTTD000J,TA48M05F,MCR03ERTJ102,MCR03ERTJ103,SBR1U150SA-13,FHU-2X8SG,450MPH105J,UCS2W220MHD
SiC MOSFET损耗计算方法:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章(《SiC MOSFET损耗计算方法:开关波形的测量方法》)中测得的开关波形,使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
技术探讨 发布时间 : 2024-05-25
SiC MOSFET:通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文的关键要点:可以在线性近似有效范围内对所测得的波形进行分割,并使用示例公式进行损耗的近似计算;MOSFET开关工作时的总功率损耗是开关损耗和导通损耗之和。
设计经验 发布时间 : 2024-07-12
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