【产品】600V/5A N沟道超结MOSFET PJMP900N60EC，最大漏源导通电阻为900mΩ

时间： 2022-03-24 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用TO-220AB-L封装的N沟道超结MOSFET—PJMP900N60EC，在T_A=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为5A（T_C=25℃），最大漏源导通电阻为900mΩ（V_GS=10V, I_D=2.3A）。具有高速开关和低导通电阻、100%雪崩测试、100%Rg测试等特点，适用于LED电源、充电器适配器。

产品外观和示意图

特点：

漏源导通电阻R_DS(ON)最大值为900mΩ （V_GS=10V）

易于使用和驱动

高速开关，低导通电阻R_DS(ON)

100%雪崩测试

100%Rg测试

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

外壳：TO-220AB-L封装

端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

重量约为：0.0739 盎司，2.0948 克

应用：

LED电源

充电器适配器

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性(T_A=25℃，除非特别说明)：

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