【选型】国产SiC二极管MSP10065G1可Pin-Pin替代ST的STPSC10H065用于PFC电路

时间： 2020-05-13 来源：美浦森

技术问答

PFC（Power Factor Correction），即“功率因数校正”，基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。PFC电路一般应用于欧美地区国家对电源输入功率大于75W的电源，比如PC电源，TV电源，电力电源，照明电源，适配器，服务器，充电桩电源等。

电器产品对结构的精细化提升，使电源产品对功率因素、效率、功率密度的要求也越来越高，传统的Si FRD器件已难以满足需求，新兴的SiC材料则可以有效满足需求。为控制系统供电，容量从几百瓦到几千瓦不等，针对 90V到264VAC输入的电源产品，一般需要具有高速开关性能的PFC升压二极管以及耐压500V以上的二极管，如(图 1、2) D1位置为SiC二极管应用于 BOOST 的应用原理图。

PFC电路中应用较多的型号有ST公司650V/10A的SiC二极管STPSC10H065，不过由于价格压力、贸易战等因素影响，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐Maplesemi（美浦森）的SiC二极管MSP10065G1，该产品可pin-pin替代ST的STPSC10H065。其典型参数对比如下图表所示。

主要参数对比表可知MSP10065G1与STPSC10H065基本一致，MSP10065G1的V_RRM耐压更高，I_FSM电流更高，V_F值更低，参数性能看上更优。

封装和管脚定义如下：

综上所述，Maplesemi的这款SiC二极管MSP10065G1可以PIN-PIN 替代STPSC10H065，参数性能上可完全替代，同时国产化具有更好的交期和价格优势，是一款性价比非常好的替换产品。

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本文将从SMC的SIC二极管S4D20120H的性能参数，封装大小方面进行分析，从而讨论其应用于充电桩系统中PFC部分的优势。

器件选型发布时间 : 2022-03-23

【选型】泰科天润SiC二极管满足Boost/PFC、高频输出整流等多种电路设计需求

泰科天润作为一家国产厂牌，针对不同应用需求专门匹配了不同的型号，以10A/650V的参数为例，G5S06510AT的VF典型值只有1.28V，较适合在高频输出整流电路的应用； G4S06510AT的价格优势明显，主打性价比系列，可以针对成本要求较高的应用选型；G3S06510A的IFSM值比较高且价格比较适中，适合Boost/PFC电路的应用。

器件选型发布时间 : 2020-06-30

【选型】国产SiC二极管MSP10065G1可替换安森美的MUR3060用于大功率PFC电路，性能更优

一款全电压输入，功率800W的电源，早期市面上一般选用onsemi的MUR3060快恢复二极管，由于目前追求高效、高频、高功率、及小体积等，快恢复二极管已经无法满足需求。美浦森的SiC二极管产品MSP10065G1能完美替换安森美的MUR3060用于大功率PFC电路中。

器件选型发布时间 : 2020-05-14

美浦森半导体超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表

目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

选型指南 - 美浦森 - REV.01 - 2021 PDF 英文下载

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求，在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块，实现了管脚与风道之间的相互独立。同时，采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感，提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

优选器件方案 - ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V1.1 PDF 中文下载

CRMICRO功率器件在不间断电源（UPS）上的应用

目前变换电路频率的提高，使得用于滤波的电感、电容以及噪音、体积等大为减少，使UPS效率、动态响应特性和控制精度等大为提高；因此适用高频应用，且低功耗、可靠性强的电力电子开关器件将成为UPS未来核心需求。以在线式UPS为例，PFC部分应用HV-MOS/IGBT+FRD/SiC JBS；DC-DC部分应用LV-MOS；DC-AC部分应用IGBT。

产品发布时间 : 2024-11-05

美浦森(Maplesemi)成立于2008年，2009年在韩国成立FABOWN工厂，致力于POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，技术骨干均来自SAMSUNG（三星）和FAIRCHILD（仙童），2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。

VD-MOSFET 超级JMO MOSFET SiC二极管

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40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。

应用方案发布时间 : 2024-09-27

【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南

目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)

型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2

选型指南 - 美浦森 - 2020年 PDF 中文下载

森国科KS10065-A碳化硅二极管助力1500W充电器实现更高的效率和更小的温升

SiC二极管KS10065-A超低的正向导通电压（VF值），这有助于降低正向导通损耗，提高整体效率。同时，由于其零反向恢复特性，它在反向恢复过程中极大地减少了反向恢复损耗，并减少了EMI干扰，这使得1500W充电器能够实现更高的效率和更小的温升。

应用方案发布时间 : 2024-09-27

Qualification Report–AEC-Q101 TEST ITEM

型号- MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSH10120G1,MSD02120G1,MS2H32065G1,MSD05120G1,MS2H20120G1,MSP10065G1,MSH16120G1,MSP16065G1,MSP20065G1,MS2H20065G1,MSP08065G1,MSH20120G1,MS2H30120G1,MSP20120G1,MSP05120G1,MSP02120G1,MSD04065G1,MSD06065G1,MS2H40065G1,MSP10120G1,MS2H16065G1,MSP06065G1

测试报告 - 美浦森 - DEC.1,2019 PDF 英文下载

美浦森（Maplesemi）SiC产品介绍

型号- MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,MSD0605G1,MSP08065V1,MSD10120G1,MS2H32065G1,MSD02120G1,MSF10120G1,MSD05120G1,MS2H20120G1,MSP10065G1,MSH16120G1,MSP15065G1,MSP20065G1,MSNP06065G1,MSP04065V1,MSP08065G1,MSNP10065G1,MSH20120G1,MSP06065V1,WSNP08065G1,MSD04065G1,MS2H40065G1,MSP10120G1,MS2H32120G1,MSP10065V1,MSP06065C1

商品及供应商介绍 - 美浦森 - 2020年03月 PDF 中文下载

森国科携全新的产品及解决方案即将亮相2024第六届深圳国际半导体展

SEMI-e作为华南极具影响力和专业性的重要展会平台之一，聚焦芯片设计、晶圆制造与封装，半导体专用设备与零部件，先进材料，第三代半导体/IGBT，汽车半导体为主的半导体产业链,全面展示半导体行业的新技术、新产品、新亮点、新趋势。森国科为观众们带来全新的产品及解决方案，零距离与工程师们进行现场交流、洽谈，欢迎到访。

原厂动态发布时间 : 2024-06-18

【应用】650V耐压国产SiC二极管G3S06540B在不间断电源（UPS）PFC电路上的应用

典型的不间断电源电路通常在整流后接入PFC电路，作为功率因数校正，以提高对电力的利用，达到节能的作用，常用的PFC电路其中在二极管的选择上通常会用SIC二极管，在PFC电路起到续流，整流二极管用，利用其零反向恢复电流，零正向恢复电压，相比普通的快恢复肖特基二极管，用SIC二极管有利于提高电源效率。国产品牌泰科天润推出的G3S06540B SIC二极管具有650V耐压，单只脚达到20A的正向电流。

应用方案发布时间 : 2019-11-23