【选型】国产SiC二极管MSP10065G1可Pin-Pin替代ST的STPSC10H065用于PFC电路

时间： 2020-05-13 来源：美浦森

PFC（Power Factor Correction），即“功率因数校正”，基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。PFC电路一般应用于欧美地区国家对电源输入功率大于75W的电源，比如PC电源，TV电源，电力电源，照明电源，适配器，服务器，充电桩电源等。

电器产品对结构的精细化提升，使电源产品对功率因素、效率、功率密度的要求也越来越高，传统的Si FRD器件已难以满足需求，新兴的SiC材料则可以有效满足需求。为控制系统供电，容量从几百瓦到几千瓦不等，针对 90V到264VAC输入的电源产品，一般需要具有高速开关性能的PFC升压二极管以及耐压500V以上的二极管，如(图 1、2) D1位置为SiC二极管应用于 BOOST 的应用原理图。

PFC电路中应用较多的型号有ST公司650V/10A的SiC二极管STPSC10H065，不过由于价格压力、贸易战等因素影响，很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案，本文重点推荐Maplesemi（美浦森）的SiC二极管MSP10065G1，该产品可pin-pin替代ST的STPSC10H065。其典型参数对比如下图表所示。

主要参数对比表可知MSP10065G1与STPSC10H065基本一致，MSP10065G1的V_RRM耐压更高，I_FSM电流更高，V_F值更低，参数性能看上更优。

封装和管脚定义如下：

综上所述，Maplesemi的这款SiC二极管MSP10065G1可以PIN-PIN 替代STPSC10H065，参数性能上可完全替代，同时国产化具有更好的交期和价格优势，是一款性价比非常好的替换产品。

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2021 - 选型指南 - REV.01 代理服务技术支持采购服务

A-011。图腾柱无桥PFC Vin=200V，Iin=100A，低频引脚上的二极管整流Rohm解决方案模拟器原理图信息

本资料提供了ROHM公司针对Totem-Pole Bridgeless PFC电路的解决方案，包括电路图、可选择的元器件及其特性。资料详细介绍了SiC MOSFET和Si-FRD二极管的选择，并提供了仿真波形和损耗计算模型。此外，还包含了如何更改电路中元器件的说明以及注意事项。

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2024. Oct - 电路原理图 - Rev.005 代理服务技术支持采购服务

ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）

SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。

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2024/2/27 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南

高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)

美浦森 - SIC DIODE,干燥金属氧化物,SIC二极管,超结MOSFET,碳化硅MOSFET,VDMOS,碳化硅二极管,碳化硅金属氧化物半导体,高压MOSFET,SJMOS,SIC DIODE,SIC MOS,SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2

2020年 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管，有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量，十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用，可以显著提高充电速度，减少能量损耗，提升系统可靠性，并有助于缩小充电设备的体积。

2024-09-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】中电国基南方650V SiC SBD WS3A006065A助力通信电源PFC电路高效率设计

在传统的离线AC-DC通讯电源应用的PFC电路中，建议采用SiC SBD作为PFC升压二极管以提高整机效率。中电国基南方（CETC）的650V SiC SBD WS3A006065A拥有零反向恢复电流和零正向恢复电压，基本没有开关损耗，有与温度无关的开关特性，因此具有较强的温度稳定性且可有效提高系统效率。

2020-05-02 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

森国科KS10065-A碳化硅二极管助力1500W充电器实现更高的效率和更小的温升

SiC二极管KS10065-A超低的正向导通电压（VF值），这有助于降低正向导通损耗，提高整体效率。同时，由于其零反向恢复特性，它在反向恢复过程中极大地减少了反向恢复损耗，并减少了EMI干扰，这使得1500W充电器能够实现更高的效率和更小的温升。

2024-09-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

PANJIT SiC肖特基势垒二极管应用笔记

本文介绍了PANJIT公司推出的650V和1200V碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）产品，并对其电气特性进行了详细分析。文章重点阐述了SBD的基本结构、关键电气参数（正向压降、结电容、浪涌电流能力）以及在不同功率因数校正（PFC）电路中的应用性能。通过与其他竞争对手的产品进行比较，PANJIT SBD在效率、可靠性和电气性能方面表现出优势，适用于服务器、电信、PC电源、家用电器、UPS、光伏逆变器以及电动汽车充电站等领域的PFC电路。

PANJIT - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,PCDB0665G1,PCDP1665G1,PCDP10120G1,PCDP0865G1,PCDB10120G1,PCDP2065G1,PCDP0465G1,PCDP08120G1,PCDP05120G1,PCDP0665G1,PCDB0465G1,PCDP20120G1,PCDB1065G1,PCDB0865G1,PCDP1065G1,PCDP15120G1,PCDP1265G1,PCDB20120G1

2021/07/14 - 应用笔记或设计指南 - Rev.01 代理服务技术支持采购服务

【应用】DFN 8X8封装的国产SiC二极管B2D10065Q助力200W PD快充，实现更小体积

这里主要介绍国产基本半导体的碳化硅二极管B2D10065Q应用于200W PD多口快充电源PFC电路的优势：反向耐压650V；连续正向电流为10A@Tc=155℃，满载下快充的原边最大电流约2至3A；工作结温为-55℃~175℃，耐高温特性强。

2021-01-30 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】泰科天润SiC二极管G3S06505C助力华硕氮化镓快充PFC电路设计，正温度系数易于并联使用

G3S06505C是一颗耐压650V，5A电流的碳化硅二极管，采用TO252封装。其具有正温度系数，支持并联使用，且并联器件中没有热崩溃现象；工作温度-55℃-175℃，开关特性不受温度影响，可以降低系统对散热片的依赖；无反向恢复电流和正向恢复电压，用在PFC升压整流中可以极大降低开关损耗，大大提高整体效率。

2023-06-20 - 应用方案代理服务技术支持采购服务