【产品】采用IGBT4芯片技术的IGBT功率模块，非常适用于工业驱动和嵌入式发电领域

时间： 2018-06-22 来源：Vincotech

技术问答

全球领先的电力电子模块（IGBT模块）解决方案的供应商VINCOTECH（威科）推出的V23990-P849-A58-PM、V23990-P849-A59-PM、V23990-P849-C58-PM、V23990-P849-C59-PM、V23990-P849-A59Y-PM系列IGBT功率模块，采用IGBT4芯片技术,非常适用于工业驱动和嵌入式发电领域。

V23990-P849-A58-PM、V23990-P849-A59-PM、V23990-P849-C58-PM、V23990-P849-C59-PM、V23990-P849-A59Y-PM系列整流器模块，集成了增强型整流器，整流器二极管的反向重复峰值电压最大值为1600V，直流正向电流最大值44A（Tj= Tjmax、Ts=80℃），非常适合大功率的整流应用。而功耗损失最大仅为56W（Tj= Tjmax、Ts=80℃），具有高节能的优势。

另外，此系列功率模块具有超高反应速度，其集成的逆变器开关的开机延迟时间和上升沿时间的典型值分别仅为71ns和19ns（R_goff=32Ω、R_gon=32Ω、V_GE=15V、V_CE=600V、I_C=8A、T_j=25℃）。同时，反向转换电容的典型值仅为30pF（f=1MHz、V_GE=0V、V_CE=25V、T_j=25℃），有效的降低了开关延时，并使得产品损耗极低，有更高的效率。

另外，功率模块在直流电压、tp=2s时的隔离电压高达6000V，具有超高的安全性与稳定性，可满足高电压环境的应用需求。功率的储存温度范围为-40~125℃，切换下的操作温度范围为-40~ Tjmax -25℃，可满足常规的工业环境，较好的温度特性和使用安全性。

V23990-P849-A58-PM、V23990-P849-A59-PM、V23990-P849-C58-PM、V23990-P849-C59-PM、V23990-P849-A59Y-PM系列功率模块的外形图、尺寸图、原理图如下：

图1 系列功率模块外形图

图2 系列功率模块的尺寸图

图3 系列功率模块的原理图

V23990-P849-A58-PM、V23990-P849-A59-PM、V23990-P849-C58-PM、V23990-P849-C59-PM、V23990-P849-A59Y-PM系列IGBT功率模块突出特点与优势

·增强型整流器

·12mm和17mm，两种封装尺寸

·采用IGBT4芯片技术

·W/O BRC可选

V23990-P849-A58-PM、V23990-P849-A59-PM、V23990-P849-C58-PM、V23990-P849-C59-PM、V23990-P849-A59Y-PM系列IGBT功率模块的应用领域

·工业驱动

·嵌入式发电

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