【产品】派恩杰推出国内首款1700V SiC MOSFET，大幅减少辅助开关电源成本
派恩杰半导体（杭州）有限公司（以下简称派恩杰）推出国内首款1700V/3Ω的SiC MOSFET P3M173K0K3，最大漏极电流为2.7A。该产品针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on)，使得其广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。
工业三相供电（400VAC~690VAC）的功率变换系统，其母线电压通常高于600V，母线电压范围在300Vdc-1000Vdc。为了给系统中的控制器，显示器，风扇以及保护供电，通常需要从高压母线取电，输出小功率5-24V 直流给辅助设备供电。由于母线电压通常大于600V，因此辅助电源需要采用2个800V Si MOS 构成的双管反激电路，而采用1700V SiC MOS由于可以耐更高的电压，更小的Rds(on)，可以采用1 个 SiC MOS 构成更为简单的反激电路实现，从而大幅减小了元器件数量，设计更简单，驱动设计更容易，缩短开发周期，因此可以用于300V至1000V 输入的反激式拓扑中。SiC MOS由于具有更小的开关损耗，这可使客户可以直接将装置通过散热片安装在PCB上，无需风冷散热，这极大减少了制造成本，提高了系统的可靠性。与使用硅器件相比，更小的损耗同时意味着可以工作在更高的开关频率，从而减小电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。
派恩杰采用1700V SiC MOS P3M173K0K3，推出65W高压辅助电源解决方案，规格如下：
• 输入电压：宽电压范围 300Vdc -1000Vdc
• 输出电压：24Vdc/2.7A
• 工作频率：100KHZ
• 拓扑：单端反激式
如图3，图4所示，相同条件下从实测图可以很清晰的看出派恩杰方案相对普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V满载下效率提升将近4%。与国外竞争产品相比，派恩杰1700V/3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V/1Ω的SiC MOS SCT2H12NZ达到相同水平。考虑到高压辅助电源，输入电流通常较小，导通损耗占比较小，开关损耗主导。派恩杰通过优化寄生电容，从而获得更小的开关损耗，采用较大的Rds(on)即可获得与国外竞品相同的效率。较大的Rds(on)，可以采用更小的晶圆面积，从而降低SiC生产成本，获得价格优势。
派恩杰1700V SiC MOS 适合辅助电源设计，更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求，更快的开关速度，极小的开关损耗大幅降低了系统损耗，使得变换器高效化，同时可以通过高频化让电路中的磁性单元体积更小，重量更轻。极小的损耗加上更优异的热传导系数，让工程师在设计散热方面不再烦恼。更高的耐压简化了辅助电源结构，减少了元器件和驱动设计的复杂度，从而大幅降低了辅助开关电源系统成本。
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