【产品】UMS推出专用于24GHz雷达的多功能芯片，SPI控制Rx增益范围可达24dB

时间： 2021-07-13 来源：UMS

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UMS 提出了一款多功能芯片 al2017，该芯片集成了一个低相位噪声核心 VCO、四个Tx中等功率放大器、两个基于Gilbert 的外差 Rx以及频率校准和环路预分频器。该电路完全由 SPI 控制并通过功率和温度传感器进行监控。Al2017专为 24GHz 雷达应用的信号生成和接收而设计。

Al2017实物图

主要特色

■ 频段：24-24.25GHz

■ 5dBm 标称发射功率

■ Tx功率由SPI 控制

■ 37dB 接收增益

■ SPI控制Rx增益范围可达24dB

■ 最大射频增益处，接收单边带噪声系数为11dB @ IF≥100kHz

■ RF输入P1dB(1dB压缩点)为-16dBm@最小射频 VGA 增益处

■ 温度范围从 -40°C 到 +125°C

■ 直流偏置：3.3V / 250mA @ Tx 5dBm Nom./BR17='0'

主要电气特性

外壳温度：+25℃

芯片框图

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Yangwang Lv7. 资深专家 2022-11-15

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用户45329712 Lv7. 资深专家 2021-07-22

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硬件csr Lv8. 研究员 2021-07-21

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titan Lv8. 研究员 2021-07-21

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zwjiang Lv9. 科学家 2021-07-19

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余景 Lv7. 资深专家 2021-07-15

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2022-07-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务

CHC2442-QPG 24GHz ISMSENSORMonolithic Microwave IC in SMD leadless package

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UMS - 24GHZ ISM SENSOR,24GHZ ISM传感器,CHC2442-QPG/20,CHC2442-QPG/21,CHC2442-QPG/XY,CHC2442-QPG,IT IS DESIGNED FOR SIGNAL GENERATION AND RECEPTION FOR AUTOMOTIVE RADAR APPLICATIONS.,它是为汽车雷达应用的信号产生和接收而设计的。

31 Oct 18 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

UMS CHC2442-QPG 24GHz ISM传感器数据手册

The CHC2442-QPG is a multifunction chip which integrates a low phase noise VCO, Tx MPA, two double balanced mixer based Rx and a switchable prescaler.

UMS - 24GHZ ISM SENSOR,24GHZ ISM传感器,ISM传感器,CHC2442-QPG/20,CHC2442-QPG/21,CHC2442-QPG/XY,CHC2442-QPG,汽车雷达接收,RECEPTION FOR AUTOMOTIVE RADAR,信号产生,SIGNAL GENERATION

2019年11月27日 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

UMS推出基于其GH25氮化镓（GaN）工艺的共享晶圆制造服务。该服务提供用于高功率应用的0.25微米HEMT GaN-on-SiC衬底技术，支持设计GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、电源条和多功能组件。服务包括精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器堆栈和布局规则验证DRC。此优惠适用于新设计方案评估和原型制作，价格为每平方毫米3400欧元，最低订购面积为4mm²。用户将收到来自良好晶圆的16个工程芯片，价格根据电路尺寸乘以单位面积价格计算。GH25工艺具有高功率密度、低栅极长度和高截止频率等特点。有意参与者可通过联系UMS市场销售部门获取更多信息或订购GaN区域。

UMS - GAN HPAS,SWITCHES,DIODES,微波单片集成电路,氮化镓高功率放大器,MULTI-FUNCTION COMPONENTS,POWER BARS,能量棒,多功能组件,LNAS,LNAS,MMICS,开关,二极管,GH25

March 22, 2024 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

UMS推出基于GH25 GaN工艺的共享晶圆代工服务，适用于射频MMIC产品和晶圆代工服务。GH25是经过空间评估的0.25µm HEMT GaN-on-SiC衬底技术，适用于高功率应用。该服务支持设计GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、功率条和多功能组件。提供精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器堆栈和布局规则验证DRC。此服务面向新设计概念评估和原型制作，价格为3100欧元/平方毫米，适用于工程晶圆，无筛选和测试检验。

UMS - GH25

2022/12/21 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

UMS推出基于GH25 GaN工艺的共享晶圆代工服务，适用于射频MMIC产品和制造服务。GH25是一种经过空间评估的0.25µm HEMT GaN-on-SiC衬底技术，适用于高功率应用。服务包括GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、功率条和多功能组件的设计。提供精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器和布局规则验证工具。此服务针对新设计概念评估和原型制作，价格为3100欧元/平方毫米，最小面积为4平方毫米。交货日期为2023年9月22日。

UMS - GH25

2022/12/21 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

UMS推出基于GH25 GaN工艺的共享晶圆代工服务，适用于射频MMIC产品和晶圆代工服务。GH25是一种针对高功率应用的0.25µm HEMT GaN on SiC衬底技术。该服务支持设计GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、功率条和多功能组件。提供精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器和布局规则验证工具。报价针对新设计概念评估和原型制作，价格为2800欧元/平方毫米，最小订单为4平方毫米。MPW启动日期为2020年11月20日，需在2020年11月13日之前提交GDS文件。

UMS

2019/11/12 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

尝试氮化镓GH25 MPW与UMS欧洲领先的射频微波单片集成电路产品和铸造服务

UMS推出基于GH25 GaN工艺的共享晶圆代工服务，旨在支持GaN HPAs、LNAs、开关、二极管、MMICs、功率条和多功能组件的设计。GH25是一种适用于高功率应用的0.25µm HEMT GaN on SiC衬底技术。该服务提供精确的非线性可扩展模型、电磁模拟器堆栈和布局规则验证DRC。报价适用于工程设计晶圆，价格为每平方毫米2800欧元，最低订购量为4mm²。多项目晶圆的启动日期为2019年6月14日。

UMS - GH25

2019/03/28 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

UMS CHR2411-QDG下变频器数据手册

该资料介绍了名为CHR2411-QDG的GaAs单片微波集成电路。这款芯片集成了低噪声放大器和混频器，能够在DC至1MHz频率范围内生成中频信号。所有活性器件均在片上自偏置。采用标准GaAs pHEMT工艺制造，具有0.25微米栅长，基板通孔、空气桥和电子束光刻技术。它采用24引脚RoHS合规QFN4x4无铅表面贴装封装。

UMS - 22-24.5GHZ GAAS RX MULTIFUNCTION,射频混频器,22-24.5GHZ砷化镓RX多功能,CHR2411-QDG/20,CHR2411-QDG,CHR2411,CHR2411-QDG/21,微波通信,办公自动化,光纤传输,广播电视设备系统,光纤接入设备,专网通信设备,国防工业设备,广播电视设备,商业,金融,安全系统,大型游戏设备

2016年07月01日 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

利用宽带、低噪声、中等功率UMS PH10 GaAs工艺2024-Winter

UMS将于2024年12月13日启动PH10 GaAs工艺的多项目晶圆共享代工服务。PH10工艺适用于生产低噪声、宽带和中等功率放大器MMIC，工作频率可达110GHz。设计者可以利用该工艺设计低噪声、可变增益放大器、中等功率放大器、混频器和多功能收发MMIC，适用于E波段通信、汽车雷达、成像传感器、光纤通信和仪器等应用。PH10工艺可在单个芯片上实现功率和低噪声性能，入门价格为2300欧元/平方毫米。资料中提供了PH10工艺的主要参数和微波性能示例，并介绍了如何参与共享代工服务，包括申请流程、晶圆尺寸、价格计算等信息。

UMS - PHEMT GAAS PROCESS,混频器,MEDIUM POWER AMPLIFIER,砷化镓工艺,高电子迁移率晶体管GAAS工艺,LOW NOISE AMPLIFIER,MIXER,中功率放大器,GAAS PROCESS,低噪音放大器,PH10,CHR1080-98F,CHA1008-99F,CHA3080-98F,CHM1080-98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F,AUTOMOTIVE RADARS,IMAGING SENSORS,光纤通信,OPTICAL FIBRE COMMUNICATION,仪表,E-BAND COMMUNICATION RADIOS,INSTRUMENTATION,E波段通信无线电,成像传感器,汽车雷达

2024/2/2 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

CHM1290-99F20-30GHz亚谐波混频器砷化镓单片微波集成电路

该资料介绍了CHM1290-99F是一款20-30GHz亚谐波混频器，采用砷化镓单片微波集成电路（MMIC）技术制造。它集成了自偏置本振缓冲放大器和亚谐波二极管混频器，适用于宽带本地接入（LMDS）的商业通信系统。主要特性包括宽带性能、低转换损耗、高隔离度、低直流功耗和小型芯片尺寸。

UMS - MULTI-FUNCTION CIRCUIT,20-30GHZ次谐波混频器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,多功能电路,20-30GHZ SUB-HARMONIC MIXER,CHM1290-99F,CHM1290-99F/00,LMDS,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,BROADBAND LOCAL ACCESS,宽带本地接入,商业通信系统

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

利用宽带、低噪声、中等功率UMS PH10 GaAs工艺2024-SPRING

UMS将于2024年7月19日启动PH10 GaAs工艺的多项目晶圆共享代工服务。PH10工艺适用于生产低噪声、宽带和中等功率的MMIC放大器，工作频率可达110GHz。该工艺可设计低噪声、可变增益放大器、中等功率放大器、混频器和多功能收发MMIC，适用于E波段通信、汽车雷达、成像传感器、光纤通信和仪器等应用。PH10工艺可在单个芯片上实现功率和低噪声性能，入门价格为2300欧元/平方毫米。

UMS - PHEMT GAAS PROCESS,MEDIUM POWER AMPLIFIER,砷化镓工艺,高电子迁移率晶体管GAAS工艺,艾克斯,LOW NOISE AMPLIFIER,中功率放大器,AIXER,GAAS PROCESS,低噪音放大器,PH10,CHR1080-98F,CHA1008-99F,CHA3080-98F,CHM1080-98F,CHA2080-98F,CHA3090-98F,AUTOMOTIVE RADARS,IMAGING SENSORS,光纤通信,OPTICAL FIBRE COMMUNICATION,仪表,E-BAND COMMUNICATION RADIOS,INSTRUMENTATION,E波段通信无线电,成像传感器,汽车雷达

2024/2/2 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【产品】12-17GHz多功能单芯片下变频器，变频增益10dB

UMS的CHR2291-99F多功能单芯片下变频器，工作频率在12-17GHz，芯片的变频增益为10dB，噪声系数为3.5dB。拥有高变频效率、低噪音等特点。适用于商业通信,雷达系统,接收机等应用领域。

2017-11-13 - 新产品代理服务技术支持采购服务

贴片封装CHR3693-QDG 21-26.5GHz集成下变频器砷化镓单片微波集成电路

该资料介绍了名为CHR3693-QDG的多功能芯片，它集成了平衡冷FET混频器、倍频器和射频自偏置低噪声放大器。这款芯片适用于广泛的商业通信系统，采用pHEMT工艺制造，具有宽带的21-26.5GHz性能，14dB增益和-5dBm输入IP3。

UMS - GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,21-26.5GHZ INTEGRATED DOWN CONVERTER,21-26.5GHZ集成下变频器,多功能芯片,MULTIFUNCTION CHIP,CHR3693-QDG,CHR3693-QDG/XY,CHR3693-QDG/20,CHR3693-QDG/21,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,商业通信系统

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】工作频率17~24GHz的单芯片多功能接收器，应用从军事到商业通信系统

CHR3364-QEG是UMS公司推出的一款工作频率范围在17-24GHz的单芯片多功能接收器，LO频率工作范围是6.5-14.0GHz，IF频率范围是DC~3.5GHz，该芯片集成了cold FET技术的平衡混频器、LO缓冲放大器、2倍频倍增器、可控制增益的RF低噪声功放，它的应用广泛，从军事到商业通信系统方面。

2017-12-08 - 新产品代理服务技术支持采购服务

CHV2240-99F多功能K波段VCO和Q波段倍频器GaAs单片微波集成电路

该资料介绍了CHV2240-99F是一款多功能K波段电压控制振荡器（VCO）和Q波段倍频器的砷化镓单片微波集成电路。它集成了K波段VCO、Q波段频率倍增器和缓冲放大器，并支持外部谐振器耦合以优化中心频率控制和相位噪声。芯片采用pHEMT工艺制造，具有高Q值电介质谐振器耦合能力。

UMS - 多功能K波段压控振荡器和Q波段倍频器,K-BAND VCO + Q-BAND FREQUENCY MULTIPLIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,MULTIFUNCTION K-BAND VCO AND Q-BAND MULTIPLIER,K波段VCO+Q波段倍频器,CHV2240-99F,CHV2240-99F/00

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

CHR2296-99F 36-40GHz集成下变频器GaAs单片微波IC

该资料介绍了CHR2296-99F是一款36-40GHz集成功率转换器（DownConverter）芯片。它集成了本振倍频器、平衡冷场效应晶体管混频器和射频低噪声放大器，适用于商业通信系统等多种应用。芯片背面为RF和DC接地，简化了组装过程。采用pHEMT工艺制造，具有2.49 x 1.97 x 0.10mm的小型封装。

UMS - 36-40GHZ INTEGRATED DOWN CONVERTER,36-40GHZ集成下变频器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,多功能芯片,MULTIFUNCTION CHIP,CHR2296-99F,CHR2296-99F/00,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,商业通信系统

27 Oct 20 - 数据手册代理服务技术支持采购服务