【产品】强茂新推650V/29A无铅N沟道超级结MOSFET PJMB130N65EC，TO-263封装
强茂（PANJIT）推出一款采用TO-263封装的N沟道超级结MOSFET—PJMB130N65EC，在TA=25℃条件下，其漏源电压为650V，连续漏极电流为29A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为130mΩ（VGS=10V，ID=10.8A）。该器件具有高速开关、低导通电阻、100% 雪崩测试和100% Rg测试等特点。
产品实物图和示意图
产品特点：
●漏源导通电阻RDS(ON) 最大值为130mΩ（VGS=10V）
●易于使用和驱动
●高速开关，低导通电阻RDS(ON)
●100% 雪崩测试
●100% Rg测试
●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
●外壳：TO-263 封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.0487 盎司，1.38 克
应用：
PFC、TV电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
热特性：
电气特性(TA=25℃，除非特别说明)：
注：
1.脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
2.基本上与工作温度典型特性无关
3.RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和
4.Co(er)与Coss存储相同的能量，当VDS从0V上升到80% V(BR)DSS时
5.设计保证，无需进行产品测试
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由小背篓翻译自PANJIT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】国产N沟道超级结MOSFET PJMF900N60E1，规格为600V/4.4A，适用于适配器
PANJIT推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF900N60E1，在TA=25℃条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为4.4A（TC=25℃），最大漏源导通电阻900mΩ（VGS=10V，ID=1.5A）。
【产品】600V/8A N沟道超级结MOSFET PJMD580N60E1，适用于电视电源、PD充电器、适配器
强茂（PANJIT）推出一款采用TO-252AA封装的N沟道超级结MOSFET—PJMD580N60E1 ，在TA=25℃的条件下，其漏源电压极限值为600V，连续漏极电流极限值为8A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为580mΩ。
【产品】600V/20A N沟道超级结MOSFET PJMF190N60E1，最大漏源导通电阻为190mΩ
强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF190N60E1，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为20A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为190mΩ（VGS=10V, ID=9.5A）。
PJMK074N60FRCH 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PJMK074N60FRCH型号的600V N-Channel Super Junction MOSFET的特性、电气参数、机械数据、应用领域和热特性。资料涵盖了该MOSFET的电压、电流、开关性能、封装类型、工作温度范围等关键参数。
型号- PJMK074N60FRCH
HCT70R1K6 700V N沟道超级结MOSFET
描述- 该资料介绍了HCT70R1K6型号的700V N-Channel Super Junction MOSFET的特性、参数和应用领域。产品具有低导通电阻、极低的开关损耗、良好的稳定性和均匀性等特点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）和电视及LED照明电源等领域。
型号- HCT70R1K6
PJMK040N60EC 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PJMK040N60EC型号的600V N-Channel Super Junction MOSFET。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于服务器电源、光伏逆变器、电信电源等领域。
型号- PJMK040N60EC
HCS65R130FS 650V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了HCS65R130FS型650V N-Channel Super Junction MOSFET的特性。该器件具有非常低的导通电阻（RDS(on)），极低的开关损耗，优异的稳定性和均匀性，内置ESD二极管和快速恢复时间。它适用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。
型号- HCS65R130FS
PJMH074N60FRCH 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 该资料详细介绍了型号为PJMH074N60FRCH的600V N-Channel Super Junction MOSFET的特性。内容包括电压、电流、开关速度、热特性、电学特性等，并提供了典型曲线和应用信息。
型号- PJMH074N60FRCH
PJMH040N60EC 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PJMH040N60EC型号的600V N-Channel Super Junction MOSFET。资料涵盖了该产品的电气特性、机械数据、热特性、典型特性曲线、产品信息和包装信息，以及免责声明。
型号- PJMH040N60EC
强茂（PANJIT）超级结MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：600~650,VGS(±V)：20~30,ID(A)：4~53,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：0.074~0.99等。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (Ω)(10V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
|
PJMH190N60E1
|
Super Junction MOSFET
|
TO-247AD-3LD
|
New Product
|
-
|
N
|
Single
|
600
|
30
|
20.6
|
0.18
|
1410
|
3.8
|
40
|
选型表 - PANJIT 立即选型
PJMH120N60EC 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PJMH120N60EC型号的600V N-Channel Super Junction MOSFET的特性、电气参数和应用领域。主要包括其电压、电流、开关速度、热特性、封装类型以及在不同温度下的工作表现。
型号- PJMH120N60EC
PJMH042N60FRC 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PJMH042N60FRC型号的600V N-Channel Super Junction MOSFET的特性，包括电气特性、热特性、机械数据和应用领域。产品具有低导通电阻、快速恢复特性、高速度开关和符合环保要求的封装，适用于工业、服务器和电信电源的PFC。
型号- PJMH042N60FRC
【产品】600V/11A无铅N沟道超级结MOSFET PJMF360N60E1，导通电阻低，易于使用驱动
强茂（PANJIT）采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF360N60E1，在TA=25℃条件下，其漏源电压600V，连续漏极电流11A，漏源导通电阻最大值360mΩ（VGS=10V，ID=3.8A）。
PJMP310N65EC 650V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了650V N-Channel Super Junction MOSFET的特性，包括电压、电流、开关速度、热特性、电学特性等。该MOSFET适用于PFC、电视电源、PC电源、PD充电器、适配器和UPS等领域。
型号- PJMP310N65EC
ACA60R150 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了ACM60R150型600V N-Channel Super Junction MOSFET的关键参数、电气特性、热阻特性、典型特性和封装尺寸。该器件适用于汽车电子、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等领域。
型号- ACA60R150
电子商城
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥13.1612
现货： 50
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥4.9543
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥2.5825
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥4.9543
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥3.1396
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥8.1360
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥3.1396
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥2.7713
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥4.0823
现货： 30
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Super Junction MOSFET
价格：￥4.8364
现货： 30
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论