【产品】强茂新推650V/29A无铅N沟道超级结MOSFET PJMB130N65EC，TO-263封装
强茂（PANJIT）推出一款采用TO-263封装的N沟道超级结MOSFET—PJMB130N65EC，在TA=25℃条件下，其漏源电压为650V，连续漏极电流为29A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为130mΩ（VGS=10V，ID=10.8A）。该器件具有高速开关、低导通电阻、100% 雪崩测试和100% Rg测试等特点。
产品实物图和示意图
产品特点：
●漏源导通电阻RDS(ON) 最大值为130mΩ（VGS=10V）
●易于使用和驱动
●高速开关，低导通电阻RDS(ON)
●100% 雪崩测试
●100% Rg测试
●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
●外壳：TO-263 封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.0487 盎司，1.38 克
应用：
PFC、TV电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
热特性：
电气特性(TA=25℃，除非特别说明)：
注：
1.脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
2.基本上与工作温度典型特性无关
3.RθJA是结至外壳和外壳至环境的热阻之和
4.Co(er)与Coss存储相同的能量，当VDS从0V上升到80% V(BR)DSS时
5.设计保证，无需进行产品测试
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强茂（PANJIT）超级结MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：600~650,VGS(±V)：20~30,ID(A)：4~53,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：0.074~0.99等。
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (Ω)(10V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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PJMH190N60E1
|
Super Junction MOSFET
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TO-247AD-3LD
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New Product
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-
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N
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Single
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600
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30
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20.6
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0.18
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1410
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3.8
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40
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选型表 - PANJIT 立即选型
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