【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N900MT4,规格为900V/100A
ASC100N900MT4是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性,其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷,因此,系统的优点包括系统效率更高,工作频率更快,功率密度增加,电磁干扰能力降低,以及系统体积减小。其采用TO247-4封装,在Tc=25℃的条件下,漏源电压为900V,连续漏极电流为100A,耗散功率为450W。
产品外观和内部电路图
特点:
●低电容高速开关
●高阻断电压,低导通电阻RDS(on)
●易于并联和驱动简单
●符合ROHS标准,无卤素
应用:
●电动汽车充电
●DC/DC转换器
●开关电源
●功率因数校正模块
●太阳能光伏逆变器
绝对最大额定参数(Tc=25℃):
电气特性(TJ=25℃,除非另有说明):
典型性能—静态
热特性
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产品型号
|
品类
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Package
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Voltage(V)
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
|
Status
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ASC8N650MT3
|
SiC Chips
|
TO-247-3
|
650V
|
320mohm
|
-40~175℃
|
Development
|
选型表 - 爱仕特 立即选型
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