【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N900MT4,规格为900V/100A

2022-08-03 爱仕特
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ASC100N900MT4是深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发的一款N沟道SiC MOSFET,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性,其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,确保了低电容和栅极电荷,因此,系统的优点包括系统效率更高,工作频率更快,功率密度增加,电磁干扰能力降低,以及系统体积减小。其采用TO247-4封装,在Tc=25℃的条件下,漏源电压为900V,连续漏极电流为100A,耗散功率为450W。

产品外观和内部电路图

特点:

●低电容高速开关

●高阻断电压,低导通电阻RDS(on)

●易于并联和驱动简单

●符合ROHS标准,无卤素


应用: 

●电动汽车充电

●DC/DC转换器

●开关电源

●功率因数校正模块

●太阳能光伏逆变器


绝对最大额定参数(Tc=25℃):

电气特性(TJ=25℃,除非另有说明):

典型性能—静态

热特性

订购信息:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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爱仕特SiC Chips选型表

提供爱仕特SiC Chips选型,覆盖TO-247-3,TO247-4L,TO-247-4,DFN8*8,DFN 10*12等常规封装,覆盖常规功率段,电压650V-3300V,电流5A-100A

产品型号
品类
Package
Voltage(V)
RON(mohm)
Temperature Range(℃)
Status
ASC8N650MT3
SiC Chips
TO-247-3
650V
320mohm
-40~175℃
Development

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