【产品】专为在所有四个象限具有栅极触发的全波段交流控制应用的三端双向可控硅开关
美国Central Semiconductor(中央半导体)公司推出了CQ89-2M系列和CQ89-2N系列三端双向可控硅开关元件(TRIACs)。他们采用SOT-89表面封装,具有很高的重复断态耐受电压和较低的栅极触发电压电流。其中CQ89-2M系列是一种环氧模压三端双向可控硅开关元件,专为在所有四个象限具有栅极触发的全波段交流控制应用而设计。图1是CQ89-2M系列和CQ89-2N系列产品的封装实物图。
图1 CQ89-2M系列和CQ89-2N系列TRIACs的封装实物图
在25℃的测试环境下,CQ89-2M和CQ89-2N具有很高的断态耐受电压能力,其最大断态重复峰值电压分别是600V和800V。在TC=50℃时,其通态均方根电流均为2A。另外其拥有较强的抗击浪涌的能力,其单周期浪涌峰值电流为20A。其栅极峰值功率为3W,栅极平均功耗为0.2W,栅极峰值电流为1.2A,栅极峰值电压为8V。热阻ΘJA为180℃/W,热阻ΘJC为90℃/W。
CQ89-2M系列和CQ89-2N系列三端双向可控硅开关元件最大尺寸是4.7mm×4.5mm×1.7mm,尺寸很小,安装方便,满足小尺寸的设计要求。另外其工作结温为-40℃至125℃,储存温度范围为-40至150℃,能够在恶劣的环境下保证正常工作。
在25℃的测试环境下,取额定的最大断态重复峰值电压,此时的泄漏电流仅为5uA,而当温度上升到125℃时,泄漏电流也只有200uA,可见其具有很好的稳定性,能够适应恶劣的工作环境而不失效。另外其拥有较低的栅极触发电流和栅极触发电压,这使其很容易从断态转入通态。在VD=12V, QUAD I, II, III的情况下,栅极触发电流最大只有5mA。在VD=12V, QUAD IV的情况下,栅极触发电流最大只有8mA。当VD=12V, QUAD I, II, III, IV时,栅极触发电压最大只有1.8V。具体电气特性如图3所示。
图3 CQ89-2M系列和CQ89-2N系列的具体电气特性
CQ89-2M系列和CQ89-2N系列三端双向可控硅开关的主要特性:
尺寸小,安装方便
峰值重复断态电压高
工作结温为-40℃至125℃
储存温度范围为-40至150℃
较低的栅极触发电流和栅极触发电压
泄漏电流仅为5uA(25℃)
热阻ΘJA为180℃/W
热阻ΘJC为90℃/W
CQ89-2M系列和CQ89-2N系列三端双向可控硅开关的典型应用:
交流控制
通用交流开关
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