【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP01N10T，采用先进沟槽技术，用于大功率逆变系统等设备
铨力半导体推出采用先进的沟槽技术的N沟道增强型MOSFET AP01N10T，采用TOLL-8L封装。适用于大功率逆变系统、BMS设备、电动工具设备。
特性
•100V，300A
RDS(ON)<1.4mΩ@VGS=10V TYP=1.2mΩ
RDS(ON)<2.0mΩ@VGS=6V TYP=1.6mΩ
•采用Super Trench技术
•表面贴装封装
•湿度敏感等级1(MSL1)
应用
大功率逆变系统
BMS设备
电动工具设备
包装标识和订购信息
绝对最高额定值（Ta=25℃除非另有说明）
MOSFET电气特性（Ta=25℃除非另有说明）
Notes：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.EAS条件:TJ=25℃，VDD=20V，RG=25Ω，L=0.5mH
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2％
4.表面贴装在FR4板，t≤10sec
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