【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP01N10T，采用先进沟槽技术，用于大功率逆变系统等设备

时间： 2023-01-11 来源：铨力半导体

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铨力半导体推出采用先进的沟槽技术的N沟道增强型MOSFET AP01N10T，采用TOLL-8L封装。适用于大功率逆变系统、BMS设备、电动工具设备。

特性

•100V，300A

R_DS(ON)<1.4mΩ@V_GS=10V TYP=1.2mΩ

R_DS(ON)<2.0mΩ@V_GS=6V TYP=1.6mΩ

•采用Super Trench技术

•表面贴装封装

•湿度敏感等级1(MSL1)

应用

大功率逆变系统

BMS设备

电动工具设备

包装标识和订购信息

绝对最高额定值（T_a=25℃除非另有说明）

MOSFET电气特性（T_a=25℃除非另有说明）

Notes：

1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

2.EAS条件:T_J=25℃，V_DD=20V，R_G=25Ω，L=0.5mH

3.脉冲测试：脉冲宽度≤300µs，占空比≤2％

4.表面贴装在FR4板，t≤10sec

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