【产品】1200V碳化硅MOSFET模块ASC300N1200MEP2B，具有高电流密度、低电感设计等特点

时间： 2023-03-01 来源：爱仕特

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爱仕特推出的1200V碳化硅MOSFET模块 ASC300N1200MEP2B，具有高电流密度，低电感设计，开关损耗低，高频操作，易于并联等特点，并且集成NTC温度传感器，有非常多的潜在应用，如：高频开关应用，DC/DC转换器，电机驱动，伺服驱动器，UPS系统以及光伏。

特点

高电流密度

低电感设计

开关损耗低

高频操作

MOSFET的零关断尾电流

常开、故障安全装置操作

易于并联

集成NTC温度传感器

潜在应用

高频开关应用

DC/DC转换器

电机驱动

伺服驱动器

UPS系统

光伏

绝对最大额定值（T_C=25℃，除非另有规定）

电气特性（TC=25℃，除非另有规定）

热特性

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型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1

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SIC功率器件碳化硅二极管碳化硅MOSFET SiC二极管模块 SiC MOSFET模块

代理服务线上商城技术资料

B2M065120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M065120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高功率密度和低热沉要求。

型号- B2M065120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持采购服务

【招聘】大客户销售，负责车规级MCU/碳化硅Mosfet/IGBT/马达驱动/热失控传感器等产品

负责自动驾驶、三电系统、智能汽车、新能源汽车等热门行业；全品类1000+家国内外大牌产品线，数万家行业top级客户资源；全球领先的研发及采购服务平台，国高企业，专精特新企业，行业未来独角兽，发展机遇超多！

2024-08-09 - 招聘信息投递简历

ASC300N1200MEP2B 1200V SiC MOSFET模块

描述- 本文档介绍了ASC300N1200MEP2B这款1200V SiC MOSFET模块。该产品具有高电流密度、低感设计、低开关损耗和高频操作等特点，适用于高频切换应用、DC/DC转换器、电机驱动、伺服驱动、不间断电源系统和光伏系统等领域。

型号- ASC300N1200MEP2B

2023/1/10 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务查看更多版本

B2M040120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

型号- B2M040120T

2024-10-25 - 基本半导体 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持采购服务

爱仕特获国家级专精特新“小巨人”企业称号，以卓越性能和创新方案推动碳化硅行业发展

2024年9月2日，深圳市中小企业服务局官方发布了工业和信息化部认定的第六批专精特新“小巨人”企业公示名单，爱仕特被认定为国家级专精特新“小巨人”企业。爱仕特在经济效益、专业化、创新和管理等方面表现突出，特别是在自主品牌和市场占有率等关键指标上成绩显著，获评了“小巨人”称号，得到了国家层面的高度认可。

2024-09-11 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【应用】耐压1200V的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块上，Rds为45mΩ

目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。本文推荐爱仕特的碳化硅MOSFET ASC60N1200MT3用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗。

2022-12-02 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

ASC30N650MT7 650V N沟道MOSFET

描述- 该资料详细介绍了ASC30N650MT7型650V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器、开关电源、功率因数校正模块和太阳能光伏逆变器等领域。

型号- ASC30N650MT7

2023/11/29 - 爱仕特 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

SiC SBD/MOS供应商芯众享授权世强硬创代理，加速国产化替代

SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷，并实现更高阻断电压和雪崩能力。

2023-08-14 - 签约新闻代理服务技术支持采购服务

芯众享（成都）微电子有限公司（简称“芯众享”）是一家集第三代半导体功率器件研发、销售及应用系统于一体的高新技术企业。总部位于四川省成都市高新区，并先后设立了深圳营销中心和泉州应用中心。

碳化硅二极管碳化硅MOSFET 碳化硅功率模块 GaN HEMT SiC功率半导体器件碳化硅肖特基二极管平面栅碳化硅 MOSFET 平面MOSFET 电源管理芯片主控芯片同步整流芯片

代理服务线上商城技术资料

10-EZ12B2A040MS-LQ17L73T规格书

描述- 本资料为Vincotech公司生产的10-EZ12B2A040MS-LQ17L73T型号SiC功率模块的数据手册。该模块采用1200伏/40毫欧的碳化硅MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻等特点，适用于充电站、储能系统、电源供应、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和焊接与切割等领域。

型号- 10-EZ12B2A040MS-LQ17L73T-/3/,10-EZ12B2A040MS-LQ17L73T

30 Jul. 2024 - VINCOTECH - 数据手册 - Revision 1 代理服务技术支持采购服务