【产品】50-8000 MHz的SP5T吸收式射频开关F2915，专为众多RF应用设计
瑞萨电子旗下的IDT在射频、高性能定时、存储器接口、实时互联、光互联、无线电源和智能传感器等领域拥有市场领先的产品。IDT推出的SP5T吸收式射频开关F2915具有高可靠性，低插损的特点，采用50Ω阻抗匹配，专为众多RF应用设计。
图1 F2915功能框图
F2915涵盖了50 MHz至8000 MHz的频率范围，其线性度及其出色，IIP2 为114 dBm @ 2000 MHz，IIP3为60.5 dBm @ 4000 MHz。同时F2915的插损较小，隔离度很高，在4000MHz条件下，插损只有1.1dB，而RFX和RFC隔离度可达到50dB。从内部框图中可以看出，F2915内部还有50Ω端接到未使用的RF输入端口。
F2915采用了IDT创新的Kz恒阻抗技术，该技术提高了系统热开关强度，最小化VCO中的LO信号的牵引，并且减小了配电网中的相位及振幅变化。此外，这一技术还非常适用于多个放大器间的动态切换，同时能避免对PA与ADC等上/下行敏感类器件造成损害。
F2915只需使用单个正电源供电，电压范围为2.7~ 5.5 V。同时三个逻辑控制引脚支持3.3V或1.8 V控制逻辑。当引脚20连接负电压，F2915禁用内部负电压发生器，可以切换成负电源供电。F2915采用4 mm x 4 mm 24引脚QFN封装，工作温度为-40°C ~ +105 °C，范围很宽，可以满足绝大部分的应用场景。
F2915封装小，工作范围宽，电气性能出色，可以用广泛应用于无线基站、便携式无线产品等。
F2915主要特点：
•五个吸收式RF端口
•高隔离度：50 dB @ 4000 MHz
•低插损：1.1 dB @ 4000 MHz
•高线性度：IIP2为114 dBm @ 2000 MHz； IIP3为60.5 dBm @ 4000 MHz
•高功率：指定RF端口33 dBm CW；所有端口为27 dBm
•2.7 V至5.5 V单电源
•可选外部负电源供电
•兼容3.3 V和1.8 V控制逻辑
•工作温度-40°C至+ 105°C
•4 mm x 4 mm 24引脚QFN封装
•引脚与竞争对手兼容
F2915应用领域：
•2G、3G、4G基站
•便携式无线
•中继器和E911系统
•数字预失真
•点对点基础设施
•军事系统，JTRS无线电
•测试/ ATE设备
F2915订购信息：F2915NBGK8
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本文由星晴123翻译自IDT（Renesas收购），版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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