【产品】-60V/-11.5A P沟道增强型MOSFET PJQ5461A，采用DFN5060-8L封装
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN5060-8L封装的PJQ5461A（-60V/-11.5A）P沟道增强型MOSFET。
图1 PJQ5461A P沟道增强型MOSFET实物图和内部结构图
PJQ5461A P沟道增强型MOSFET的产品特点：
•RDS(ON), VGS@-10V,ID@-6A<110mΩ
•RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-3A<130mΩ
•开关速度快
•改进的dv/dt能力
•栅极电荷低
•反向传输电容低
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
PJQ5461A P沟道增强型MOSFET的机械数据：
•外壳：DFN5060-8L封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.0028盎司，0.08克
•标记：Q5461A
表1 PJQ5461A P沟道增强型MOSFET最大额定值
表2 PJQ5461A P沟道增强型MOSFET电气特性
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可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
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