【选型】国产LDO芯片LC1482可P2P替代TI TLV75719PDBVR，输入电压、压差及PSRR均有优势
针对于现市面上的便携式、电池供电设备、DSP等等电源设计中通常使用大电流、高PSRR、低噪音、低压差的LDO，TI的TLV75719PDBVR应用较为广泛；但由于目前中美贸易战争影响以及国产化替代需求，不少客户在寻找一款可pin to pin替代TLV75719PDBVR的国产LDO芯片。
以下介绍一款岭芯微的LC1482，以下图1为两个产品的性能参数对比：
从图1 可以明显看出两者之间的差异，下面来看看TYPICAL APPLICATION对比：
通过以上两个产品各方面的对比，可以看出：
1、两者最大输入电压几乎接近，但岭芯微LC1482的略宽
2、岭芯微LC1482的压差DropoutVoltage明显比TI的低一倍多,有效降低损耗
3、PSRR方面比TI TLV75719PDBVR相对有优势，有效降低电源纹波对处理器等方面正常工作的影响
4、封装相同，可实现pin to pin替代，设计电路时无需改板，大大减少验证时间
岭芯微LC1482国产器件，高PSRR、低噪音、低压差，性价比高，可缓解缺芯市场危机，后续供货稳定。
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为什么说LDO芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系，比如低噪声，高电源电压抑制比等？
LDO内部有一个基准源用来提供到误差放大器和输出反馈作比较。功耗主要来源于这个bandgap。如果bandgap功耗做大，内部电阻就会小，电阻的热噪声就小。反之功耗做小，电阻变大，热噪声就会大。
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