【经验】ISL73040SEHEV4Z评估板,演示如何在半桥配置中使用ISL73040SEH和ISL73024SEH

2019-08-01 Renesas
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1. 概述

ISL73040SEHEV4Z评估板演示了如何使用ISL73040SEH低侧GaN驱动器ISL73024SEH 200V GaN FET构建半桥功率级驱动器。 ISL73040SEH的栅极驱动电压(VDRV)为4.5V,由内部稳压器产生,可防止栅极电压超过ISL73024SEH GaN FET的最大栅极—源极额定值。 ISL73024SEH是200V的GaN FET,漏极电流7.5A。


1.1评估板主要特点:

•单个PWM输入,用于半桥驱动

可调节控制死区的时间

•宽开口,支持各种电感器封装

•高开关频率,峰值效率> 95%

•启用/禁用功能


1.2评估板规格:

•VDD = 4.5V至13.2V

•VBUS =高达100V(受GaN FET的VDS限制)

•PWM输入:40kHz至1MHz,占空比= 2%至97%


1.3评估板订购信息:





图 1 ISL ISL73040SEHEV4Z 评估板的框图


2.功能描述

ISL73040SEHEV4Z演示了如何在半桥配置中使用ISL73040SEH和ISL73024SEH。以下部分描述了如何调整给定应用程序的评估板。


2.1 PWM输入

输入信号频率限制在40kHz至1MHz,占空比介于2%和97%之间,从J7输入。该输入设计用于容纳3.3V至10V之间的电压,以与市场上现有的PWM控制器兼容。输入信号被串联送入两个ISL71610M前端,可简化为线圈电阻为128Ω的线圈。 R20和C55控制流入ISL71610M输入线圈的电流。假设输入电压为3.3V,R20设置为150Ω,将进入ISL71610M前端的电流限制为8mA(稳态),C55提供瞬时电流,以便更快地上升和下降。 R22(1MΩ)和C56(100pF)是可选的,可以将输入信号与电源地隔离。


2.2死区时间的控制调整

根据RC充电和放电时间R6 / C54和R5 / C22调节死区时间。 ISL73040SEH具有反相和非反相输入,为上部和下部GaN FET提供互补驱动。 D3和D4通过在关断期间提供较低的电阻,确保仅在高侧和低侧延迟开启时间。通过快速关闭有源GaN FET并延迟无源FET的导通来控制死区时间。选择R和C值,使ISL73040SEH的逻辑阈值的充电和放电时间等于所需的死区时间。理想的RC充放电曲线分别如图2和图3所示:

图2 RC充电曲线


图3 RC放电曲线


最终电容电压为4.5V,因为ISL71610M的VDD与各自栅极驱动器的VDRV相连。 由于高侧GaN FET采用反相逻辑信号驱动,导通高端的死区时间取决于RC滤波器从4.5V放电至ISL73040SEH的VIL所需的时间,即 4.5V的31.1%(VIL = 1.对应低侧死区时间的时间常数为0.4721τ。 通过选择电容值(在该设计中使用100pF)并计算所需电阻,可以使用等式1和2计算死区时间。

其中tdon是高侧死区时间,单位为秒。


其中tdoff是低侧死区时间,单位为秒。


例如,16ns的tdon(高侧死区时间)和30ns的tdoff(低侧死区时间),得到R5 =635Ω,R6 =137Ω。 使用常用的电阻值来近似,则R5 =620Ω,R6 =140Ω。 这些计没有考虑高侧/低侧驱动器(U1 / U2)与高侧/低侧隔离器(U3 / U4)之间的传播延迟不匹配的问题,因此电路板上的最终值可能需要调整以达到预期的效果。


2.3快速入门指南

评估电路板需要以下设备:

•总线电源:能够提供100V且具有5A负载电流能力的电源

•偏置电源:电源电压为5V至12V,具有1A负载电流能力

•函数发生器,能够产生高达1MHz的方波,并具有占空比控制功能

•电流负载能力为7A

•数字万用表测量VOUT


2.3.1操作流程

(1)在VBUS和GND(J3 / J4)之间连接总线电源。

(2)在J1和J2之间连接偏置电源。

(3)将功能发生器连接到电路板上的BNC插孔(J7)。

(4)将负载连接到VOUT和GND(J5 / J6)。

(5)将数字万用表连接在VOUT和GND(J5 / J6)之间。

(6)将偏置电源设置为5V和12V之间的任何电压。在此示例中,它设置为5V。

(7)将总线电源设置为100V。

(8)将负载设置在最高7A的位置。评估平台上的电感额定值为10.5A

温度上升20°C,因此7A提供足够的余量。

(9)设置函数发生器输出占空比为28%,频率为500kHz的方波。

(10)将函数发生器输出电压电平设置为VOL = 0.0V和VOH = 3.3V。因为25mA的线圈额定值, PWM电压限制为10V。 U3和U4的输入线圈各自指定为128Ω(最大值)。

(11)打开偏置电源。

(12)打开总线电源。

(13)打开函数发生器输出。

(14)VOUT应约为总线电源电压的28%(本例中为100V)。

(15)打开电子负载。

(16)VOUT降至28V以下。可以修改函数发生器的占空比,使VOUT恢复到28V。


3.ISL73040SEHEV4Z评估板实物

图4 评估板俯视图






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  • 珍珍 Lv7. 资深专家 2019-08-01
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