【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动

时间： 2019-08-01 来源：世强

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针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC，目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用，另外原边的输入可以有上下桥互锁功能，开关频率可以支持到几百KHz，驱动电流可以到4A，针对该运用Slilicon Labs推出的隔离驱动芯片SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压，4A的拉电流和灌电流，双路独立的驱动，125KV/us的CMTI值，满足AEC—Q100的认证，具有高的性价比优势。

SI823H3BD-IS3在设计上可以与UCC2122QDQ1完全实现兼容，可以运用在半桥或者全桥的拓扑中，实现上下桥的驱动，另外可以针对SIC MOS管或非SIC MOS管运用都可以，其典型运用如图1所示:

图1 SI823H3BD-IS3设计典型运用

设计上需要知道如下几点：

1、该芯片的DT引脚是通过与Gnd之间串电阻来实现外置死区时间，增加输入两路信号的死区，有利于输出的同时导通，导致炸管；

2、SI823H3BD-IS3属于Disable功能，该芯片在Disable引脚为低电平时，属于的信号才有效，如果该引脚为高电平，则不管输入信号是什么状态，输出将都被拉低；

3、SI823H3BD-IS3具有输入防直通功能，通常的双路驱动芯片输出信号直接跟随输入，不论输入是信号是何状态，但是对于半桥或全桥的拓扑，这种有存在上下管都开通导致直通的风险，存在一定可靠性问题；但是SI823H3BD-IS3具有输入都为高电平信号时，芯片内部会将信号拉低，从而输出的两路驱动也是低，有效的防止上下管直通功能；

4、SI823H3BD-IS3芯片的副边电压支持30V的供电，相比24V的供电，对于设计者来说留有更多的电压余量，防止芯片由于供电电压不稳定造成芯片损坏，增加可靠性；

5、驱动能力上，SI823H3BD-IS3具有4A的拉电流和灌电流能力，驱动能力更强；

6、SI823H3BD-IS3原边支持到3V的供电电压，可以与主控芯片供电完美结合一起，并且还有一定余量，利于设计的优化；

作为SIC MOS管或MOS管的驱动芯片，SI823H3BD-IS3是一款为设计者带来更好的性能，同时又可以提高设计可靠性的产品。

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珍珍 Lv7. 资深专家 2019-08-01

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