【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动

时间： 2019-08-01 来源：世强

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针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC，目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用，另外原边的输入可以有上下桥互锁功能，开关频率可以支持到几百KHz，驱动电流可以到4A，针对该运用Slilicon Labs推出的隔离驱动芯片SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压，4A的拉电流和灌电流，双路独立的驱动，125KV/us的CMTI值，满足AEC—Q100的认证，具有高的性价比优势。

SI823H3BD-IS3在设计上可以与UCC2122QDQ1完全实现兼容，可以运用在半桥或者全桥的拓扑中，实现上下桥的驱动，另外可以针对SIC MOS管或非SIC MOS管运用都可以，其典型运用如图1所示:

图1 SI823H3BD-IS3设计典型运用

设计上需要知道如下几点：

1、该芯片的DT引脚是通过与Gnd之间串电阻来实现外置死区时间，增加输入两路信号的死区，有利于输出的同时导通，导致炸管；

2、SI823H3BD-IS3属于Disable功能，该芯片在Disable引脚为低电平时，属于的信号才有效，如果该引脚为高电平，则不管输入信号是什么状态，输出将都被拉低；

3、SI823H3BD-IS3具有输入防直通功能，通常的双路驱动芯片输出信号直接跟随输入，不论输入是信号是何状态，但是对于半桥或全桥的拓扑，这种有存在上下管都开通导致直通的风险，存在一定可靠性问题；但是SI823H3BD-IS3具有输入都为高电平信号时，芯片内部会将信号拉低，从而输出的两路驱动也是低，有效的防止上下管直通功能；

4、SI823H3BD-IS3芯片的副边电压支持30V的供电，相比24V的供电，对于设计者来说留有更多的电压余量，防止芯片由于供电电压不稳定造成芯片损坏，增加可靠性；

5、驱动能力上，SI823H3BD-IS3具有4A的拉电流和灌电流能力，驱动能力更强；

6、SI823H3BD-IS3原边支持到3V的供电电压，可以与主控芯片供电完美结合一起，并且还有一定余量，利于设计的优化；

作为SIC MOS管或MOS管的驱动芯片，SI823H3BD-IS3是一款为设计者带来更好的性能，同时又可以提高设计可靠性的产品。

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珍珍 Lv7. 资深专家 2019-08-01

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2023-08-09 - 原厂动态

全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压？有没成熟的驱动芯片推荐？

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2019-10-15 - 技术问答代理服务技术支持现货查询批量订货

无锡恒芯微LED驱动芯片选型指南

描述- 无锡恒芯微科技有限公司是一家专业的电源管理以及数模混合集成电路设计的高科技创新企业，专注于绿色电源及消费类电子产品的设计研发。产品覆盖了绿色电源管理领域，尤其在BMS电池管理、LED照明、电源适配器等方面，累积拥有超过上百种规格的产品，最高月出货数量超过50KK，在行业内处于第一方队。经过多年的积淀，在高压BCD、LDMOS、JFET、高压ESD等工艺及器件、高精度CV/CC、超低待机功耗、电源EMC/EMI、低THD、高可靠性高稳定性等方面积累了丰富的特色技术，形成了稳定的产品线，未来将继续在智能绿色电源领域持续开拓。

型号- HA6211AP,HA6211AQ,HE3318,HA5833AE,HA5856AE,HA5914,HE2097S,HE2097T,HA3011T,HA3123,HA5961,HA3124,HA5S32E,HA6210B,HA6211DB,HA6890,HE3361,HA5833DE,HA3011ST,HA3011ESD,HE2132,HA3120,HA3021,H A3 021,HA6210,HA3122,HE2038,HA3011ESA,HA5836DE,HA6211A,HA6211AB,HA6211D,HA5911,HA5853AE,HA5854AE,HA5912,HA6880,HE2362,HA5831E,HA6882