【产品】PDFN3x3-8L封装的N沟道功率MOSFET JMSL0612AUQ,连续漏极电流高达38A
捷捷微电推出一款采用PDFN3x3-8L封装的N沟道功率MOSFET——JMSL0612AUQ,漏源电压最大额定值为60V,连续漏极电流最大额定值高达38A(TC=25°C),具有低导通电阻、低栅极电荷特性和高电流处理能力,适用于汽车应用。
产品封装图
产品特点:
低导通电阻
低栅极电荷
高电流处理能力
通过100%UIS 和Rg测试
满足AEC-Q101认证
适用于汽车应用
最大额定参数(TA=25℃,除非特别说明)
电气参数(TJ=25℃,除非特别说明)
热性能
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由董慧翻译自捷捷微电,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】150V/8.5mΩ N沟道功率MOSFET JMSH1509AGQ,连续漏极电流额定值78A
JMSH1509AGQ是捷捷微电推出的一款150V 8.5mΩ 的N沟道功率MOSFET,具有开关速度快、低漏源导通电阻、低栅极电荷等特性。漏源电压额定值为150V,栅极开启阈值电压典型值3.2V,连续漏极电流额定值78A。
【产品】100V/6mΩ的N沟道功率MOSFET—JMSL1008AGQ,通过AEC-Q101认证
捷捷微电推出一款采用PDFN5x6-8L封装的N沟道功率MOSFET——JMSL1008AGQ,漏源电压最大额定值为100V,连续漏极电流最大额定值高达102A,具有大电流处理能力,漏源导通电阻典型值低至6mΩ,通过100%UIS和Rg测试,且满足AEC-Q101认证。
【产品】40V/1.6mΩ N沟道MOSFET JMSL0402AGQ,静态漏源导通电阻的典型值为1.6mΩ
JMSL0402AGQ是捷捷微电子推出的一款40V 1.6mΩ 的N沟道功率MOSFET,采用PDFN5x6-8L封装,具有开关速度快、低漏源导通电阻、低栅极电荷等特性,漏源电压额定值为40V,栅极开启阈值电压典型值1.6V,连续漏极电流额定值183A。
捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型,VDS_Max:-100V~1000V,VGS(th)_Typ:-2V~3.5V等
产品型号
|
品类
|
Confi-guration
|
VDS_Max(V)
|
ID_Max(A)
|
VGS(th)_Typ(V)
|
RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
|
RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
|
RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
|
RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
|
VGS_Max(V)
|
EAS_Max(mJ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
MPQ
|
MOQ
|
封装
|
JMSL040SAGQ
|
MOS
|
N
|
40V
|
387A
|
1.5V
|
0.58mΩ
|
0.75mΩ
|
0.8mΩ
|
0.99mΩ
|
±20V
|
506mJ
|
7654pF
|
3738pF
|
44pF
|
114nC
|
3000
|
30000
|
PDFN5x6-8L
|
选型表 - 捷捷微电 立即选型
JMSH0403AGQ 40V 2.7mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0403AGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷、经过100% UIS和Rg测试,符合RoHS标准,适用于汽车应用。
型号- JMSH0403AGQ,JMSH0403AGQ-13
JMSH0406AGDQ 40V 5.2mΩ双通道N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSH0406AGDQ型40V 5.2mΩ双N通道功率MOSFET的产品特性、参数、电气特性、热性能以及封装信息。产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和Rg测试、无铅镀层、无卤素和RoHS合规等特点,适用于汽车应用,并符合AEC-Q101标准。
型号- JMSH0406AGDQ,JMSH0406AGDQ-13
JMSH1001ATLQ 100V 1.3mΩ标准N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH1001ATLQ型100V 1.3mΩ TOLL N-Ch Power MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点,适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH1001ATLQ,JMSH1001ATLQ-13
JMSH040SAGQ 40V 0.56mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH040SAGQ型号的40V 0.56mΩ N-Ch Power MOSFET。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和Rg测试、无铅镀层、符合RoHS标准以及适用于汽车应用的AEC-Q101认证等特点。
型号- JMSH040SAGQ-13,JMSH040SAGQ
JMSL0406AGDQ 40V 5.5mW双N沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了JMSL0406AGDQ型40V 5.5mW双N通道功率MOSFET的特性,包括产品概述、参数、电气特性、热性能、典型电气和热特性、封装信息等。
型号- JMSL0406AGDQ,JMSL0406AGDQ-13
JMSL0612AUQ 60V 10.0mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0612AUQ型号的60V 10.0mΩ N-Ch Power MOSFET。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、高绝缘强度等特点,适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSL0612AUQ-13,JMSL0612AUQ
JMSH0401AGQ 40V 1.3mΩN沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了JMSH0401AGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性、参数和应用。产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点,适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0401AGQ,JMSH0401AGQ-13
JMSH0406AGDQ 40V 5.2mW双N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSH0406AGDQ型号的40V 5.2mW双N通道功率MOSFET。资料涵盖了产品概述、参数、特性、电气特性、热性能、封装信息等,适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0406AGDQ,JMSH0406AGDQ-13
JMSH0401BGQ 40V 0.90mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0401BGQ型号的N沟道功率MOSFET的特性。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点,适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0401BGQ-13,JMSH0401BGQ
JMSH0402BGQ 40V 2.0mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH0402BGQ型号的40V N-Ch Power MOSFET。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、高可靠性等特点,适用于汽车和其他工业应用。
型号- JMSH0402BGQ,JMSH0402BGQ-13
JMSL0612AKQ 60V 9.9mΩN沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0612AKQ型号的60V N-Channel Power MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷、100% UIS和Rg测试,适用于汽车应用并符合RoHS标准。
型号- JMSL0612AKQ-13,JMSL0612AKQ
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论