【IC】重磅新品发布！森国科推出大功率IGBT分立器件，兼具易于驱动、控制简单、高开关频率和低饱和压降等优点

时间： 2023-07-28 来源：森国科公众号

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2023年7月，森国科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管（BJT）低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。IGBT多被工程师们用来进行功率变换，以提高整体的用电效率和质量，因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见，IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放的等问题提供了关键支撑技术之一。

森国科KG050Z12P1M1、KG075Z12P1M1，采用精细沟槽栅场截止型IGBT芯片结构，结构如下图示，在12寸硅晶圆生产制造。在实际场景应用中，它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。

森国科IGBT元胞结构图

IGBT元胞、芯片、单管与模块

●森国科IGBT采用软穿通FS层的设计，可有效提升开关速度，降低开关损耗;

●森国科采用精细沟槽栅元胞结构提升电流密度使的IGBT具有低导通压降，更小的导通损耗;

●森国科优化了终端结构设计和材料匹配，提升了器件的长期可靠性;

●森国科优化了芯片设计，使器件具备优秀的短路能力。

●森国科IGBT新品采用行业标准化的封装形式，便于器件在不间断电源、储能、光伏逆变器等多个领域的应用。具体应用电路可参考：

1、IGBT在不间断电源（UPS）中的应用

2、IGBT在光伏逆变器中的应用

3、IGBT在变频器中的应用

4、IGBT在储能中的应用

5、IGBT在电焊机中的应用

森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

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【IC】新品速递！森国科1200V/40A IGBT产品阵容再增一员，助力逆变器高效设计

森国科的1200V/40A IGBT（型号：KG040N120SD-R）为电机驱动、逆变器、UPS系统以及太阳能和风能发电系统应用设计而生。KG040N120SD-R IGBT具有低导通损耗和快速开关特性，不仅提升了系统的效率和性能，还为工程师提供了更多的设计灵活性和可靠性保障。

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在设计高压SVG功率单元时，由于10KV系统的母线电压过高，没有可以承受如此高电压的IGBT模块。那么该如何设计合适的拓扑电路可以实现10kV的高压SVG功能？

根据目前的生产工艺，IGBT模块的最高耐压等级为6500V，不能满足10kV系统的耐压要求。所以通常做法是使用工频变压器副边多抽头，得到多个690V的低压系统，再使用vincotech的1700V耐压的VINcoDUAL E3模块实现690V功率单元，之后不同的功率单元按照一定的电网角度组合成10kV高压SVG。