【应用】低功耗双N沟道MOSFETCMLDM7002A在PSE控制器中的应用
PoE技术通过网线的空闲线或信号线传输电力，可以不改变现有的网络结构和增加额外的电缆，只需要升级交换机和终端设备，即简单经济又节省安装空间。在PD端负责接收PSE端传送的电压信号，并分解成数据信号和电力信号，数据信号送入以太网接口设备；电压信号经过整流桥后进行DC/DC电压变换，以满足终端设备电压要求。PSE端负责对整个供电过程进行管理，并向PD侧提供48V的直流电压，如图1所示。
图1. PoE系统端到端原理图
PSE端的PSE控制器在供电开始时，负责确认PD端设备是否符合供电要求，如果符合供电要求，则打开开关开始供电，并对整个供电过程进行监测，当监测到后级不符合供电要求或者发生故障时，则关闭供电开关，切断供电电压。该电源开关通常采用MOSFET实现，如图2所示红色标记所示（注：Si3454/59是一款高度集成的8端口PSE控制器）。在此处的MOSFET的选型中，要求其有低导通电阻和低导通压降，以利用降低PSE端供电器的损耗，并要求具有较好的成本。针对此处的应用，推荐Central Semiconductor该公司生产的CMLDM7002A双N通道增强型MOS管，该MOSFET具有低导通电阻和低漏-源导通压降，满足此处的设计要求。
图2. MOSFET在PSE控制器中的应用
CMLDM7002A最大额定漏-源电压VDS60V，最大额定漏-栅电压VDG60V，最大额定连续漏极电流280mA，若内部两MOSFET并联应用，电流可扩展到560mA,可应用于PoE系统Class0、Class1、Class2、Class3（注：IEEE 802.af规定PSE端供电电流10~350mA,输出电压44~47 V，输出功率15.4w）。最大脉冲源-漏极电流1.5A，能承受较高的开关机的浪涌冲击。在VGS=10V, ID=500mA时RDS最大仅为2Ω，VDS（ON）最大仅为1V，最大功率输出时，损耗不足1W，满足PD控制器功率电路的要求。输出电容Coss仅25pF，开通损耗小，有利于提高PSE端设备供电效率。栅极总电荷Qg(tot)仅0.592nC，易于驱动且驱动损耗低。工作和存储结温温度-60~＋150℃，达到军工级温度水平，能在苛刻的环境中应用。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由楠木II提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
德欧泰克N沟道MOSFET DI075N04PT-AQ为敞篷车车顶马达提供驱动，最大导通电阻仅2.9mΩ
DIOTEC的N沟道MOSFET DI075N04PT-AQ为敞篷车车顶马达提供驱动。DI075N04PT-AQ具有1.2V-2.5V的逻辑兼容的阈值电压，可以直接由微控制器驱动，从而节省了电路板。具有最大导通电阻低至2.9mΩ，采用了小巧且节省空间的QFN3x3封装，为有限的电路板空间提供了高性能。
应用方案 发布时间 : 2024-06-18
【应用】扬杰科技双N沟道MOSFET用于板卡boost升压电路，可提供24V/2A电源输出
本文项目是板卡，主要功能是通过处理器采集北斗卫星的定位信号，对设备进行定位。北斗模块采用24V供电，系统的输入电源为12V，因此需要将12V电源升压到24V提供给模块。输出功率比较大，只能采用外接MOSFET进行设计，选用扬杰科技的YJGD20G10A作为开关管。
应用方案 发布时间 : 2021-11-17
【应用】可编程限流开关LPW5209AB5F用于电表采集模块，内置电荷泵，避免反向电流脉冲造成电路损坏
客户的电表采集模块需要选用一款高集成度的电源开关，我们推荐了微源半导体的这款可编程限流开关LPW5209AB5F，符合客户要求。LPW5209AB5F是一款内置电荷泵的N沟道MOSFET，可用于驱动无寄生体二极管，可以避免反向电流脉冲对电路造成损坏。
应用方案 发布时间 : 2022-03-04
【选型】国产N沟道MOSFET可替代2SK3730用于电动三偏心蝶阀设计，输入电容4100PF，通流80A
三偏心蝶阀驱动器核心功率器件国产化替代项目中，推荐丽正国际的N沟道MOSFET RM80N75T2做H桥逆变电路功率MOSFET，保证供应和降低成本同时很好的实现了进口F品牌2SK3730的设计替代，降低了功耗，提高了稳定性。
器件选型 发布时间 : 2020-12-24
【产品】三相无刷直流电机预驱动芯片AT4931，能驱动6个N沟道MOSFET，内置的同步整流电路实现低功耗
中科微推出的AT4931是一款三相无刷直流电机预驱动芯片，能够在较宽的电压范围内驱动N沟道功率MOSFET，且电机电源最高可支持到30V。换相逻辑由三个相位差为120°的霍尔元件确定。AT4931具有固定关断时间的脉宽调制(PWM)电流控制；延迟时间可调的堵转保护；热关断保护；过压监控和同步整流。
新产品 发布时间 : 2020-06-29
【产品】高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC BD2270HFV、BD2270HFV-LB，工作电流典型值为50μA
罗姆(ROHM)株式会社推出了两款高侧N沟道MOSFET的栅极驱动器IC——BD2270HFV和BD2270HFV-LB。它们具有用于栅极驱动的内置电荷泵电路和用于输出电荷的内置放电电路，可在不使用任何外部元件的情况下配置用于N沟道MOSFET驱动的高侧负载开关，减少外部元件数量，且采用节省空间的HVSOF5封装。工作电流典型值为50μA，待机电流典型值为5μA，可以满足各类应用的低功耗需求。
新产品 发布时间 : 2018-09-24
【产品】20V/100mA增强型N沟道MOSFET裸片，栅极驱动漏电流1μA，专应用于高速脉冲放大器和驱动器等场合
CP361X-CEDM7001、CP361R-CEDM7001是Central Semiconductor公司推出的增强型N沟道MOSFET裸片，其漏源电压为20V，栅源电压为10V，连续漏极电流为100mA，tp =10μs测试条件下峰值漏极电流可达到200mA。可应用于高速脉冲放大器和驱动器等场合。
新产品 发布时间 : 2018-11-07
合科泰NMOS管HKTG50N03，连续漏极电流可达50A，适用于BMS、LED驱动、快充和电源等
本文合科泰电子给大家介绍一款采用N沟道制作的MOS管HKTG50N03，带大家熟悉这款产品的特性和应用。HKTG50N03产品是一款稳定、安全、性能强大的MOS产品，它的开关能力、调压能力、高效工作能力和、稳定可靠的电流控制能力等均大有可为。
产品 发布时间 : 2024-05-26
【产品】内置升压电路，用于驱动高低边N沟道MOSFET的三相无刷电机预驱动器BD6761FS、BD6762FV
罗姆（ROHM）推出的BD6761FS、BD6762FV是针对打印机进纸用的三相无刷电机预驱动器。该款芯片是内置升压电路、用于驱动高低边N沟道MOSFET的电机预驱动器。BD6761FS通过外部伺服信号输入来控制驱动类型，BD6762FV内置有伺服电路(速度鉴别器+伺服)。这两款三相无刷电机预驱动器适合用于激光束打印机以及PPC等的进纸用电机驱动。
新产品 发布时间 : 2018-10-25
60V/340mA的N沟道MOSFET 2N7002KW，助力超声波电机高效控制、稳定运行
2N7002KW是一款N沟道MOS场效应管，适用于各种低功耗、高效率的电路设计。其具有较高的漏源电压（60V）和连续漏极电流（340mA），能够承受一定的电压和电流负载。此外，其低导通电阻（1.1Ω@4.5V, 200mA）和低阈值电压（1.3V@250μA）保证了在工作状态下降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电路设计提供可靠的功率控制和高效能的性能表现。
产品 发布时间 : 2024-05-10
【选型】ROHM（罗姆）车载灯用LED驱动器选型指南（英文）
目录- Application Configuration Examples/LED Driver Lineup Switching Buck LED Drivers Switching Boost LED Drivers Multi-Channel Switching LED Driver Matrix Switch Linear LED Drivers IPD (Intelligent Power Device) Discretes IC-Related Technical Materials and Support System ROHM Manufacturing
型号- BV1HN090FJ-C,PSL0301U2T,BV2HD045EFU-C,BM2LB300FJ-C,SFR10,SFR03,SFR01,BD1834X-M,RBE,RBR2VWM60A,BD83732HFP-M,RB075BM40S,RBQ,SDR,RBR SERIES,RSD,RBS,RBR,RBR1VWM40A,RB088LAM-60,2SAR573D3,BD18351EFV-M,BD18394EFV-M,BM2LB110FJ-C,RD3L080SN,RVQ040N05,SFR SERIES,BD18341FV-M,BD1834X-M SERIES,RB068LAM-60,RBR2MM40A,BV1LB028FPJ-C,RBR5LAM60A,RD3,BD8374EFJ-M,RSS070N05,BV1LB150FJ-C,RB098BM-60,BV1LC150EFJ-C,SFR25,RB168VWM-40,SP8K22,RSX,ESR SERIES,RBR3MM60A,SP8K24,LHR,BD837X-M SERIES,SFR,RBRXX8,RB168VWM-60,PSL0304U21T,RB168MM100,2SAR573,RSX SERIES,PSL030X,RBR10BM60A,SFR18,RB088LAM100,LHR SERIES,RB068LAM-40,BV2HD070EFU-C,BD18312MUF-M,RB098BM-40,RBR15BM40A,SP8K41,RSR015P06,RSR025N05,RB168MM-60,RSQ035N06,LTR SERIES,BV1HB045EFJ-C,BV1LC105FJ-C,SP8K31,SP8K32,LHR18,BV2HX045EFU-C,RSQ015P10,SDR10,SP8K33,RBR2LAM40A,RBR5LAM40A,BD18340FV-M,BD1834X SERIES,RBXX0 SERIES,2SAR533P,RBR20BM40A,BD1LB500□□□-C,RBR3LAM40A,BD18337EFV-M,RBR3MM40A,BV1LB085FJ-C,RBS SERIES,RSR030N06,BV1LB300FJ-C,RB168MM-40,RBXX8 SERIES,SP8K52,RB068LAM100,RBR10BM40A,RHP020N06,BD18347EFV-M,BM2LB150FJ-C,MCR18,RBR1MM40A,RJU003N03,BD83733HFP-M,RBR15BM60A,BD8372HFP-M/,BM2LC300FJ-C,RBR1LAM40A,RD3L050SN,BD18395EFV-M,RF9G120BH,BV1LC085EFJ-C,BV1LC300FJ-C,BD18343FV-M,LTR18,BD18394MUF-M,RB088BM-40,RB068MM100,RB168LAM100,RBR2LAM60A,RBXX1 SERIES,RBXX5 SERIES,RB058LAM-40,LTR10,BD18347EFV-M/,RBE SERIES,BV1HJ045EFJ-C,BV2HX045EFU-C SERIES,RSQ015N06,RBR20BM60A,RD3P050SN,BD18362EFV-M,ESR25,SDR03,PSL030X SERIES,BV2HC045EFU-C,BD18345,RSD SERIES,BD18345EFV-M,ESR,RBQ SERIES,RB068MM-60,BD1HC500□□□-C,RB088BM-60,RD3 SERIES,BD837X-M,ESR10,RBR3LAM60A,BD8LB600FS-C,ESR18,RSR020N06,BM2LC105FJ-C,2SAR583D3,RBR1MM60A,RB088BM200,RBRXX8 SERIES,ESR03,PSL0304U22T,ESR01,RBR2VWM40A,RBR1LAM60A,BD1834X,RBR1VWM60A,RBXX1,BD1HD500□□□-C,RBXX0,RB068MM-40,RBXX5,RBXX8,BD18391EFV-M,2SAR573DFHG,BD8374HFP-M,SDR SERIES,LTR50,RB058LAM100,BD18342FV-M,RB168LAM-40,RSS065N06,RBR2MM60A,BV1HF045EFJ-C,BD18353EFV-M,BV1LB010FPJ-C,AG109DGQ4,LTR,BD8LA700EFV-C,BD18353MUF-M,RB088BM100,BD18336NUF-M,RB168VWM100,BV1LB045FPJ-C,RSR010N10,RB218BM200,BD8372EFJ-M,RB058LAM-60,RB088LAM-40,BV1HD090FJ-C,RB098BM100,RB168LAM-60
WAYON 公司介绍 电路保护/功率半导体/IC产品
型号- WP3883CL系列,4030,0603系列,WJ1028-AT,WR0120-AT,2410系列,WP311X,1140,WR00521-AT,WP3883CL,5432系列,0402,4030系列,MLR,WR0115-AT,2718系列,0603,WP311X系列,9550系列,WR0366-AT,WJ1021-AT,5432,1206系列,WR0368-AT,WJ1050-AT,0402系列,WJ1044-AT,9550,WR0322-AT,1140系列,1206,2410,WJ1042-AT,WJ1040-AT,2718,C4 系列,MLR系列
N沟道MOSFET HKTD90N03可用于电源、电机驱动和适配器等，栅源电压20V，连续漏极电流90A
合科泰生产的N沟道MOSFET HKTD90N03具有非常优秀的电学特性，作为一款低压MOS产品，它的漏源电压30V，栅源电压20V，连续漏极电流90A，漏源导通电阻0.0052Ω，最小栅极阈值电压1.2V，最大栅极阈值电压2.5V，耗散功率90mW。
产品 发布时间 : 2024-01-23
【产品】650V/20A/170mΩ的N沟道MOSFET SLP/F65R170E7
美浦森的650V/20A N沟道MOSFET SLP65R170E7、 SLF65R170E7，采用先进的沟槽技术，这种先进技术适合于最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并使MOSFET可以承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。产品外观和内部电路如图1所示。
新产品 发布时间 : 2020-08-05
电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥3.0934
现货： 200
品牌：Central Semiconductor
品类：N-Channel MOSFET & Low VF Schottky Diode
价格：
现货： 0
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论