【应用】国产N沟道MOSFET SLF60R190SS成功应用于春晚LED舞台电源
2019年央视春晚采用的LED舞台电源为美浦森终端客户旗下品牌电源,采用稳定可靠电路方案设计,使用优质元器件制造,经过严格的品质检验和100%满负荷老化筛选,组装老化零故障,在春晚彩排30天使用中,创造了零故障的成绩!电源所用MOSFET为美浦森超结产品SLF60R190SS,现将电源产品拆解分析如下:
400W LED显示屏电源拆解
这其中采用的MOS管是美浦森半导体的N沟道MOSFET SLF60R190SS,耐压600V,ID为22A,导阻0.15Ω,TO220F封装。部分参数展示如下:
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由seven转载自美浦森,原文标题为:美浦森MOSFET应用,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
SLD80N03T 30V N沟道MOSFET
本资料介绍了Msemitek公司生产的SLD80N03T型30V N-Channel MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、快速开关特性,适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
美浦森 - 30V N沟道MOSFET,30V N -CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SLD80N03T,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
【产品】650V/20A/170mΩ的N沟道MOSFET SLP/F65R170E7
美浦森的650V/20A N沟道MOSFET SLP65R170E7、 SLF65R170E7,采用先进的沟槽技术,这种先进技术适合于最小化导通电阻,提供优越的开关性能,并使MOSFET可以承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。产品外观和内部电路如图1所示。
SLD850U 500V N沟道MOSFET
该资料介绍了Msemitek生产的SLD850U型500V N-Channel MOSFET。这款器件采用先进的平面条纹DMOS技术制造,具有低导通电阻、快速开关性能和高能脉冲承受能力等特点,适用于高效开关电源和半桥拓扑结构的主动功率因数校正。
美浦森 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SLD850U,HIGH EFFICIENCY SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,高效率开关电源
【产品】采用平面条纹DMOS技术的N沟道MOSFET SLP10N65S/SLF10N65S,漏源电压650V
美浦森推出的SLP10N65S/SLF10N65S是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C,栅极电荷典型值29nC
美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET;采用平面条纹DMOS技术,为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计;非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
SLD10N10T/SLP10N10T 100V N沟道MOSFET
本资料介绍了Msemitek公司生产的SLD10N10T/SLP10N10T型100V N-Channel MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、快速开关特性,适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
美浦森 - N沟道MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,N -CHANNEL MOSFET,SLD10N10T,SLP10N10T,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
SLD3095T 30V N沟道MOSFET
该资料介绍了Msemitek公司生产的SLD3095T型30V N-Channel MOSFET。这款功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻、快速开关和高能脉冲承受能力等特点。资料详细说明了其电气特性、热阻、工作温度范围、封装类型和应用领域。
美浦森 - 30V N沟道MOSFET,30V N -CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SLD3095T,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展
2020年8月16至18日,美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。
SLD15N10T/SLU15N10T 100V N沟道MOSFET
本资料介绍了Msemitek公司生产的SLD15N10T/SLU15N10T型号的100V N-Channel MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高能脉冲承受能力等特点。
美浦森 - N沟道MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,N -CHANNEL MOSFET,SLU15N10T,SLD15N10T,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
SLN40N04G 40V N沟道MOSFET
本资料介绍了SLN40N04G型MOSFET的特性及应用。该器件采用先进的屏蔽栅极MOSFET技术,具有低导通电阻、快速开关特性,适用于低压应用,如DC/DC转换器和便携式电池供电产品的电源管理。
美浦森 - 40V N沟道MOSFET,40V N -CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SLN40N04G,PORTABLE PRODUCTS,电源管理,POWER MANAGEMENT,电池供电产品,BATTERY OPERATED PRODUCTS,便携式产品
SLV8205L 16V N沟道MOSFET
本资料介绍了Msemitek公司生产的SLV8205L型16V N-Channel MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻、快速开关速度和高能脉冲承受能力等特点。适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
美浦森 - N沟道MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,N -CHANNEL MOSFET,SLV8205L,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
【产品】低栅极电荷的N沟道MOSFET SLP840C/SLF840C,器件漏源电压高达500V
美浦森推出的SLP840C/SLF840C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森(Maplesemi)先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
SLD80R380SJ 800V N沟道MOSFET数据表
本资料介绍了Maple Semiconductor生产的800V N-Channel MOSFET系列,包括SLD80R380SJ、SLU80R380SJ、SLP80R380SJ、SLF80R380SJ、SLB80R380SJ和SLI80R380SJ。这些器件采用先进的Super-Junction技术,具有低导通电阻、高鲁棒性、快速开关性能等特点,适用于AC/DC电源转换。
美浦森 - 800V N-CHANNEL MOSFET,800V N沟道MOSFET,SLI80R380SJ,SLP80R380SJ,SLD80R380SJ,SLF80R380SJ,SLB80R380SJ,SLU80R380SJ
SLP130N04T 40V N沟道MOSFET
本资料介绍了Msemitek公司生产的SLP130N04T型40V N-Channel MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻、快速开关和高能脉冲承受能力等特点。资料提供了详细的电气特性、绝对最大额定值和应用领域。
美浦森 - N沟道MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,N -CHANNEL MOSFET,SLP130N04T,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
SLD120N03T 30V N沟道MOSFET
该资料介绍了Msemitek公司生产的SLD120N03T型号的30V N-Channel MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻、快速开关性能和高能脉冲承受能力等特点。资料详细列出了其绝对最大额定值、电气特性、动态特性和开关特性等。
美浦森 - 30V N沟道MOSFET,30V N -CHANNEL MOSFET,POWER MOSFET,功率 MOSFET,SLD120N03T,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关
电子商城
现货市场
服务
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论