【产品】铨力半导体推出的P沟道增强型MOSFET AP15P03Q，漏源电压最大额定值为-30V，可以快速开关
铨力半导体推出的P沟道增强型MOSFET AP15P03Q，Ta=25℃，漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V。属于沟槽DMOS功率MOSFET，可以快速开关，具有出色的导通电阻和最大直流电流能力，可用于直流/直流转换器，便携式设备的负载开关，电池开关。
特征
-30V,-12A
RDS(ON)<20mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)<35mΩ@VGS=-4.5V
沟槽DMOS功率 MOSFET
快速开关
出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用
直流/直流转换器
便携式设备的负载开关
电池开关
封装标记和订购信息
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）
MOSFET电气参数（Ta=25℃，除非特别说明）
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
3.表面贴装在FR4板，t≤10s
4.L=0.5mH，VDD=-15V，RG=25Ω，TJ=25℃
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