【产品】N沟道表面贴装功率MOSFET器件P240FZ4QLA，漏源电压为40V，直流连续漏极电流为240A

时间： 2020-11-06 来源：Shindengen

技术问答

SHINDENGEN（新电元）公司推出的P240FZ4QLA是一款表面贴装（SMD）功率MOSFET器件，具有低电容、低静态漏源导通电阻、大电流等特点。该功率MOSFET的栅极驱动电压为4.5V，储存温度为-55~+175℃，漏源电压为40V，栅源电压为±20V，直流连续漏极电流为240A，峰值连续漏极电流为720A（脉冲宽度10μs，占空比1/100），大电流特性使其可满足大功率电路设计需求。

在ID=120A，VGS=10V测试条件下，P240FZ4QLA的静态漏源导通电阻典型值为0.00103Ω。此外，其总耗散功率为178W，在初始Tch=25°C，Tch≦150°C测试条件下的单脉冲雪崩电流为80A，单脉冲雪崩能量高达320mJ。同时，该功率MOSFET器件还具有较快的开关速度，在ID=50A，RL=0.40Ω，VDD=20V，Rg=0Ω，VGS(+)=10V，VGS(-)=0V测试条件下，其开启延迟、上升时间、关断延迟和下降时间典型值分别为13.5ns、32ns、152ns和47ns。器件无卤素，无铅端子，符合RoHS标准认证，是绿色环保型器件。

图1 实物图

特点：

● N沟道
● SMD表面贴装
● 超大电流承受能力
● 低漏源导通电阻Ron
● 4.5V栅极驱动电压
● 低电容
● 无卤素
● 无铅端子
● 符合RoHS

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