【产品】30V/40A 低导通电阻N沟道功率MOSFET AP4438系列，总功耗最大2.5W
铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET AP4438系列采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计者提供了一种在广泛的电力应用中使用的极为高效的设备。SOT89封装是所有使用红外回流技术的商业工业表面贴装应用的首选，适用于电压转换或开关应用。
特点：
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关特性
符合ROHS标准且无卤素
绝对最大额定值@TJ=25℃（除非有其他说明）
电气特征@Tj=25℃（除非有其他说明）
热数据
注：
1.脉冲宽度受最大结温限制
2.脉冲测试
3.表面安装在FR4板的1in2铜焊盘上，t<=10sec,125℃/W，当安装在最小铜焊盘上时。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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