【产品】工作温度-55~+125℃的N沟道超结功率MOSFET，采用TO-220等三种封装，符合ROHS标准
武汉芯源的SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P&S根据超结原理设计而成。 武汉芯源N沟道超结功率MOSFET CWS60R180BF提供快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的、LED照明和高性能适配器等应用。绝对最大额定值方面，在TC=25℃时，CWS60R180BF的漏极直流电流达20A，在VGS=0V，TJ=25°C时，漏-源电压达600V。其封装及引脚如下图所示。
产品特点
•由于非常低的 Rdson*Qg，损耗极低
•卓越的雪崩加固技术
•快速开关能力
•100% 雪崩测试
•无铅电镀引线； 符合ROHS
应用
•功率因数校正（PFC）
•开关电源（SMPS）
•不间断电源（UPS）
• 高性能适配器
• LED照明电源
绝对最大额定值
（ Tj=25℃，除非另有说明）
Note 1. 受最高结温限制；
Note 2.脉冲宽度受最高结温限制；
Note 3. IAS = 10 A，VDD = 50 V，RG = 25 Ω，开始时 TJ= 25℃。
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