【产品】工作温度-55~+125℃的N沟道超结功率MOSFET，采用TO-220等三种封装，符合ROHS标准

时间： 2022-08-21 来源：武汉芯源

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N沟道超结功率MOSFET,CWS60R180BF,CWS60R180 AC,CWS60R180 AF

武汉芯源的SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P&S根据超结原理设计而成。武汉芯源N沟道超结功率MOSFET CWS60R180BF提供快速开关和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的、LED照明和高性能适配器等应用。绝对最大额定值方面，在T_C=25℃时，CWS60R180BF的漏极直流电流达20A，在V_GS=0V，T_J=25°C时，漏-源电压达600V。其封装及引脚如下图所示。

产品特点

•由于非常低的 R_dson*Q_g，损耗极低

•卓越的雪崩加固技术

•快速开关能力

•100% 雪崩测试

•无铅电镀引线；符合ROHS

应用

•功率因数校正（PFC）

•开关电源（SMPS）

•不间断电源（UPS）

• 高性能适配器

• LED照明电源

绝对最大额定值

（ T_j=25℃，除非另有说明）

Note 1. 受最高结温限制；

Note 2.脉冲宽度受最高结温限制；

Note 3. I_AS = 10 A，V_DD = 50 V，R_G = 25 Ω，开始时 T_J= 25℃。

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产品型号	品类	漏极电流ID Max（A）	漏源耐压 VDSS Min（V）	导通电阻 RDS(on) Typ（Ω)	导通电阻 RDS(on) Max（Ω)	栅极电阻 Rg（Ω)	栅极电荷 Rg（nC）	反向恢复时间 Trr（nS）	封装
CWS50R580AF	MOSFET	8	550	0.53	0.58	11.7	8.9	215	TO-220F-3L