【产品】采用SiGe BiCMOS工艺制造的单片集成电路XND008，输入频率0.2~13GHz输入频率

时间： 2022-08-20 来源：西南集成

技术问答

西南集成推出的XND008是一款采用SiGe BiCMOS工艺制造的单片集成电路，电路包含了输入缓冲放大器、÷4分频核心电路、输出驱动放大器。

产品特点：

0.2GHz~13GHz宽输入频率
单电源5V供电
高输入灵敏度
eSOP8L塑料封装

器件特征：

应用范围：

高频通信系统

功能框图：

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【产品】SiGe BiCMOS工艺制造的单片集成电路XND007，采用eSOP8L塑料封装，单电源5V供电

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【产品】最大带宽支持40MHz的宽带捷变收发器XND1500，具备0.5~2.5GHz射频信号接收能力

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【产品】可实现指定点频输出的频率合成器模块，功耗低至5.5mA

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【产品】采用SiGe BiCMOS工艺制造的单片集成电路XND009，宽输入频率为0.2~13GHz，用于高频通信系统

西南集成推出的XND009是一款采用SiGe BiCMOS工艺制造的单片集成电路，电路包含了输入缓冲放大器、÷8分频核心电路、输出驱动放大器。产品具有0.2GHz~13GHz宽输入频率、单电源5V供电高输入灵敏度等特点，采用eSOP8L塑料封装。

产品发布时间 : 2022-08-25

【产品】Ka波段四通道多功能发射芯片XND1511，采用SPI控制，单通道直流功耗小于45mA

西南集成XND1511型Ka波段四通道多功能发射芯片是一款集成四路幅相控制通道的单片集成电路，具有低功耗、体积小、低成本、应用简单等特点；工作频段内输出1dB压缩点最大为9.5dBm，每个通道由放大器、数控衰减器、数控移相器、功率合成器等单元组成。

产品发布时间 : 2021-12-12

【产品】低噪声高线性度L波段双通道接收器XND359，工作电流220mA@3.3V

西南集成XND359 L波段双通道接收器是采用SiGe BiCMOS工艺制造的单片集成电路。芯片内部集成了两个接收通道、一个频率合成器。通道采用一次变频结构，集成了低噪声放大器、混频器、衰减器和中频放大器。

产品发布时间 : 2021-12-25

【产品】K波段四通道多功能接收电路XND1510CD，单通道噪声系数小于3dB，功耗小于40mW

先积集成XND1510CD型K波段四通道多功能接收电路是一款集成四路幅相控制通道的单片集成电路，具有低功耗、体积小、低成本、应用简单等特点，单通道噪声系数小于3dB，单通道功耗小于40mW。每个通道由放大器、数控衰减器、数控移相器、功率合成器等单元组成。

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【产品】采用SPI控制的八通道多功能收发芯片XND2108，通道隔离度达35dB，支持极化工作

西南集成XND2108型24GHz~28GHz八通道多功能收发芯片是一款集成八路幅相控制通道的单片集成电路，具有低功耗、体积小、低成本、应用简单等特点；通道隔离度达35dB，每个通道由放大器、数控衰减器、数控移相器、功率合成器等单元组成

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【产品】RF带宽12~16GHz，转换增益13dB，GaAs集成下频变频器助力商业通信系统

UMS是全球领先的GaN、GaAs工艺微波元件供应，该公司近期发布的新产品CHR3352-QEG是一款集成式下频变频器IC，它是一款基于GaAs射频HEMT的工艺的多功能单片集成电路，集成了平衡FET混合器，LO缓冲器和增益可控的射频LNA等组件，具有高频，高增益等特点。该产品备受信息工业市场青睐，在ISM和商业通信系统等领域的应用尤为广泛。

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