【应用】国产GAN场效应管INN100W14用于50×40mm小体积DCDC电源设计，具有零反向恢复损耗
DCDC电源在各个领域无处不在，没有电源就没办法供电，设备没办法正常工作。本文介绍的就是英诺赛科的E型GaN场效应管INN100W14在DCDC电源中的设计。
在50×40mm小体积DCDC电源上，推荐英诺赛科的E型GaN场效应管INN100W14，是一颗共源极GaN开关管，其内置两个对称的开关管，INN100W14耐压100V，导阻19mΩ，连续电流7A，脉冲电流可达90A，工作温度和储存温度为-40 至 150℃，各项参数都很适合DCDC电源的设计。
下图为DCDC设计的框图：
图1：DCDC框图
氮化镓在低压领域，同样具有优秀的高频性能和转换效率，可取代传统硅MOSFET，在广泛应用的DC-DC转换器和电机驱动等场合发挥优势，提升系统效率，降低功耗。如图1则是在60V，3A，DCDC电源中的设计，通过PWM控制器控制GaN，实现DCDC的设计。
相关结构封装图：
图2：相关结构封装图
INN100W14在DCDC电源中的主要优势：
1、INN100W14具有零反向恢复损耗，其中的能量转化效率更高，开关效率更快，从而降低了损耗，满足低损耗要求。
2、封装为WLCSP 1.58mmX3.58mm，相比传统DFN5x6封装，大大节省占板面积，非常合适在小体积中的设计，本身是双通道、共源的对比单通道设计更为简略。
3、INN100W14采用裸Die封装设计，在不加散热器的情况下可以通过PCB和晶体表面散热，避免因为体积小而温升过高的问题。
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